Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Effective / Hall Mobility"'
Autor:
Nifa, Iliass
Le travail de thèse effectué porte sur la caractérisation électrique et la modélisation du gaz d’électrons à deux dimensions (2D) dans les dispositifs MOS-HEMT à base de l’hétérojonction AlGaN/AlN/GaN. Ces dispositifs ont un fort potent
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2018GREAT015/document
Autor:
Nifa, Iliass
Publikováno v:
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2018. Français. ⟨NNT : 2018GREAT015⟩
This thesis aims at studying the electrical characterization and modelling of two-dimensional (2D) electron gas in MOS-HEMT devices based on the hetero-junction AlGaN/AlN/GaN. These devices are very promising candidates for power electronics applicat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::bda681a22722ef49a0d824b56940ee69
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01866731
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01866731
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 58 No. 8 (2013); 773
Український фізичний журнал; Том 58 № 8 (2013); 773
Український фізичний журнал; Том 58 № 8 (2013); 773
The nature and dimensions of disordered regions emerged in n-Si single crystals irradiated with high-energy (25 MeV) protons have been studied by carrying out Hall measurements of their electrophysical parameters. Specimens fabricated with the use of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1b0a273b652d513201e125f09326c054
https://doi.org/10.15407/ujpe58.08.0773
https://doi.org/10.15407/ujpe58.08.0773
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.