Zobrazeno 1 - 10
of 24
pro vyhledávání: '"Eblabla, Abdalla"'
Autor:
Eblabla, Abdalla
Gallium Nitride (GaN)-based High Electron Mobility Transistors (HEMTs) grown on Silicon (Si) substrates technology is emerging as one of the most promising candidates for cost effective, high-power, high-frequency Integrated Circuit (IC) applications
Externí odkaz:
https://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.744085
Autor:
Chandrasekar, Hareesh, Uren, Michael J., Casbon, Michael A., Hirshy, Hassan, Eblabla, Abdalla, Elgaid, Khaled, Pomeroy, James W., Tasker, Paul J., Kuball, Martin
Publikováno v:
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 66, NO. 4, APRIL 2019
Intrinsic limits to temperature-dependent substrate loss for GaN-on-Si technology, due to the change in resistivity of the substrate with temperature, are evaluated using an experimentally validated device simulation framework. Effect of room tempera
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1901.09521
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
In this paper, viable transmission media technology has been demonstrated for the first time on GaN on low-resistivity silicon) substrates (ρ < 40 Ω·cm) at H-band frequencies (220–325 GHz). The shielded-elevated coplanar waveguide (CPW) lines e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::923b25b1629222031357c0687ef7641a
https://eprints.gla.ac.uk/130594/1/130594.pdf
https://eprints.gla.ac.uk/130594/1/130594.pdf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
8th Wide Bandgap Semiconductor and Components Workshop
This paper investigates the effect of insertion AlN spacer between the GaN channel and buffer in a sub-micron gate (0.3 μm) AlGaN/GaN HEMTs on a low-resistivity (LR) (σ < 10 Ω.cm) silicon substrates on RF performance. Enhancement in short circuit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::0882e639bf07c3b7ef6faa55f5243d28
https://eprints.gla.ac.uk/123061/1/123061.pdf
https://eprints.gla.ac.uk/123061/1/123061.pdf
Publikováno v:
11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11)
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) grown on Si substrate are emerging as an attractive devices for many RF applications. This is due to lower circuits realization cost and multifunction chips integration. In this study we investigat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::31cf881ccc96fadb8bf4c09bb7548124
https://eprints.gla.ac.uk/123077/1/123077.pdf
https://eprints.gla.ac.uk/123077/1/123077.pdf