Zobrazeno 1 - 10 of 1 779 pro vyhledávání: '"ELECTRON beam induced current"'
1
Akademický článek
Analytical and numerical simulation of electron beam induced current profiles in p-n junctions.
Autor: Moore, James E.1, Affouda, Chaffra A.2, Maximenko, Sergey I.2, Jenkins, Phillip2
Publikováno v: Journal of Applied Physics. 2018, Vol. 124 Issue 11, pN.PAG-N.PAG. 8p. 1 Diagram, 4 Charts, 7 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Diffusion length of non-equilibrium minority charge carriers in β-Ga2O3 measured by electron beam induced current.
Autor: Yakimov, E. B.1,2, Polyakov, A. Y.1, Smirnov, N. B.1, Shchemerov, I. V.1, Yang, Jiancheng3, Ren, F.3, Yang, Gwangseok4, Kim, Jihyun4, Pearton, S. J.5
Publikováno v: Journal of Applied Physics. 2018, Vol. 123 Issue 18, pN.PAG-N.PAG. 5p. 1 Black and White Photograph, 4 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
New tech law offers billions for research.
Autor: Mervis, Jeffrey
Publikováno v: Science. 9/9/2022, Vol. 377 Issue 6611, p1133-1134. 2p. 1 Color Photograph.
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Modified electron beam induced current technique for in(Ga)As/InAsSb superlattice infrared detectors.
Autor: Yoon, N.1, Reyner, C. J.2, Ariyawansa, G.2, Duran, J. M.2, Scheihing, J. E.2, Mabon, J.3, Wasserman, D.1
Publikováno v: Journal of Applied Physics. 2017, Vol. 122 Issue 7, p1-10. 10p.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Depletion region surface effects in electron beam induced current measurements.
Autor: Haney, Paul M.1, Heayoung P. Yoon2, Gaury, Benoit1,3, Zhitenev, Nikolai B.1
Publikováno v: Journal of Applied Physics. 9/7/2016, Vol. 120 Issue 9, p1-7. 7p. 1 Diagram, 1 Chart, 7 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Measurement of minority carrier diffusion lengths in GaAs nanowires by a nanoprobe technique.
Autor: Darbandi, A.1, Watkins, S. P.1 simonw@sfu.ca
Publikováno v: Journal of Applied Physics. 2016, Vol. 120 Issue 1, p333-339. 7p. 1 Black and White Photograph, 1 Diagram, 1 Chart, 2 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Analysis of Nanowire pn-Junction with Combined Current–Voltage, Electron-Beam-Induced Current, Cathodoluminescence, and Electron Holography Characterization
Autor: Nicklas Anttu, Elisabetta Maria Fiordaliso, José Cano Garcia, Giuliano Vescovi, David Lindgren
Publikováno v: Micromachines, Vol 15, Iss 1, p 157 (2024)
We present the characterization of a pn-junction GaAs nanowire. For the characterization, current–voltage, electron-beam-induced current, cathodoluminescence, and electron holography measurements are used. We show that by combining information from
Externí odkaz: https://doaj.org/article/aa9bfb0a1de745898f457e9b16439971
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
From EBIC images to qualitative minority carrier diffusion length maps.
Autor: Marcelot, O.1 (AUTHOR) olivier.marcelot@isae.fr, Magnan, P.1 (AUTHOR)
Publikováno v: Ultramicroscopy. Feb2019, Vol. 197, p23-27. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Electron injection-induced effects in Si-doped β-Ga2O3.
Autor: Modak, Sushrut1, Lee, Jonathan1, Chernyak, Leonid1 chernyak@physics.ucf.edu, Yang, Jiancheng2, Ren, Fan2, Pearton, Stephen J.3, Khodorov, Sergey4, Lubomirsky, Igor4
Publikováno v: AIP Advances. Jan2019, Vol. 9 Issue 1, pN.PAG-N.PAG. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
An EBIC Model for TCAD Simulation to Determine the Surface Recombination Rate in Semiconductor Devices.
Autor: Kraxner, Andrea1, Roger, Frederic1, Loeffler, Bernhard1, Faccinelli, Martin2, Fisslthaler, Evelin3, Minixhofer, Rainer1, Hadley, Peter2
Publikováno v: IEEE Transactions on Electron Devices. Nov2016, Vol. 63 Issue 11, p4395-4401. 7p.
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje