Zobrazeno 1 - 10
of 55
pro vyhledávání: '"E.W. Lin"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
David E. Crowley, E.W. Lin
Publikováno v:
Soil Biology and Biochemistry. 33:2005-2010
Bacteria inoculated into non-sterile environments such as soil often decline rapidly in population size and activity. One possible cause is that the duration of the lag phase for laboratory grown strains may increase with starvation, decreasing the s
Autor:
M. Biedenbender, G.S. Dow, Pin-Pin Huang, Huei Wang, J.H. Elliott, Richard Lai, Tian-Wei Huang, E.W. Lin, Yonghui Shu
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 45:2418-2423
This paper presents a 94-GHz power amplifier (PA) module. This module contains three identical monolithic microwave integrated circuit (MMIC) PA chips and demonstrates 0.35-W output power at the waveguide output port with a miniature size. The MMIC P
Autor:
T.R. Block, Barry R. Allen, Huei Wang, E.W. Lin, G.S. Dow, Liem T. Tran, Kwo Wei Chang, Dwight C. Streit, Aaron K. Oki, J. Cowles
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 31:1419-1425
A family of millimeter-wave sources based on InP heterojunction bipolar transistor (HBT) monolithic microwave/millimeter-wave integrated circuit (MMIC) technology has been developed. These sources include 40-GHz, 46-GHz, 62-GHz MMIC fundamental mode
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 43:1951-1959
We report on the device considerations for resistive FET mixer applications and discuss the design and fabrication of an optimized InP-based 0.1 /spl mu/m gate length planar-doped pseudomorphic In/sub 0.42/Al/sub 0.58/As-In/sub 0.65/Ga/sub 0.35/As mo
Publikováno v:
Thin Solid Films. 196:295-303
We have investigated the luminescent and device properties of pseudomorphic AlGaAs/InGaAs modulation-doped field effect transistors (MODFETs) with different InAs molar fractions in the InGaAs channel. Molecular beam epitaxy, which simulataneously dep
Autor:
Richard Lai, T.-W. Huang, W. Jones, K. Stamper, P.H. Liu, T.R. Block, D.C. Streit, R.M. Dia, Huei Wang, H.C. Yen, P. Huang, E.W. Lin, Y.C. Chen
Publikováno v:
IEEE Microwave and Guided Wave Letters. 7:133-135
We have developed W-band high-power monolithic microwave integrated circuit (MMIC) amplifiers using passivated 0.15 /spl mu/m gate length InGaAs/InAlAs/InP HEMT's. A 640 /spl mu/m single-stage MMIC amplifier demonstrated an output power of 130 mW wit
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.