Zobrazeno 1 - 10
of 26
pro vyhledávání: '"E.W. Kiewra"'
Autor:
Kenneth J. McCullough, E.W. Kiewra, D.D. Miura, B.N. Rhoads, G. Stojakovic, R.V.S.S.N. Ravikumar, Ronald G. Filippi, David L. Rath, D.J. Delehanty
Publikováno v:
Solid State Phenomena. :31-34
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 1999 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.99EX247).
Aluminum based wiring is widely used in the back-end-of-line (BEOL) metallization of integrated circuits. In a 256 Mb dynamic random access memory (DRAM) product, the first level of Al wiring exists at a 0.20 /spl mu/m ground rule. Performance and re
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 1999 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.99EX247).
As aluminum reactive ion etch (RIE) technology extends to sub-0.20 /spl mu/m technology, a void-free back-end-of-line (BEOL) gap-fill process is one of the major challenges for interconnects. When a stitched word line architecture is employed, the fi
Autor:
R. C. Iggulden, G.Y. Lee, T. Matsunaga, X.J. Ning, H. Kitahara, Stefan J. Weber, T. Kirihata, E.W. Kiewra, B. Liegl, David L. Rath, G. Stojakovic, R. Ravikumar, R. G. Filippi
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 1999 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.99EX247).
Aluminum based wiring is common in the back-end-of-line (BEOL) metallization of DRAM chips. The 256 Mb DRAM chips necessitate the fabrication of wires at minimum pitch, especially when a stitched architecture is used. The critical topics related to e
Autor:
J. L. Hurd, E.W. Kiewra, R. Ravikumar, R. Filippi, Stefan Weber, Roy C. Iggulden, L. Gignac, Kenneth P. Rodbell, Y. Y. Wang, C.-K. Hu, L. A. Clevenger, T. Kane, T. D. Sullivan, Rainer Florian Schnabel, T. Joseph
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
Four different metallization processes for AlCu dual damascene are investigated with respect to their electromigration lifetime and compared to a metallization using subtractive metal etching. It is shown that the electromigration reliability lifetim
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.