Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"E.N. Vologdin"'
Autor:
Production Enterprise, Pulsar, Scientific, D.O. Vanichkin, Production Enterprise \\'Pulsar\\', I.Ya. Gantman, E.T. Avrasin, E.N. Vologdin, V.F. Sinkevich
Publikováno v:
Electronic engineering. Series 2. Semiconductor devices. 248:35-48
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::466a44d6ff5beac0e8678f6acd64771e
https://doi.org/10.36845/2073-8250-2018-248-1-35-48
https://doi.org/10.36845/2073-8250-2018-248-1-35-48
Autor:
Pulsar, Production Enterprise, Scientific, Production Enterprise \\'Pulsar\\', D.O. Vanichkin, E.T. Avrasin, E.N. Vologdin
Publikováno v:
Electronic engineering. Series 2. Semiconductor device. 251:30-36
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ea257bba2e61b58a6ae5929ad6d36941
https://doi.org/10.36845/2073-8250-2018-251-4-30-36
https://doi.org/10.36845/2073-8250-2018-251-4-30-36
Publikováno v:
Electronic engineering. Series 2. Semiconductor devices. 248:19-27
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5a1ab102320fbf377568b71ef94068b2
https://doi.org/10.36845/2073-8250-2018-248-1-19-27
https://doi.org/10.36845/2073-8250-2018-248-1-19-27
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. :663-666
The effects of hydrogen implantation at 400, 300, 200 and 100 keV with doses of 1.2–12.5 × 10 13 cm −2 and subsequent annealing on defect transformations in p- and n-type silicon by fast neutron irradiation with doses of 5–20 × 10 12 cm −2
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6b39ae3732bf3af9bc94204b55a15c53
https://doi.org/10.1016/0168-583x(93)96204-p
https://doi.org/10.1016/0168-583x(93)96204-p
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. :667-669
The study of current-controlled (S-type) negative differential resistance (NDR) in the reverse current-voltage ( I - V ) characteristics of p + -n diodes made on the base of proton-bombarded and subsequently annealed silicon wafers has been carried o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::943f9b1eac1abc29771863d10d27113f
https://doi.org/10.1016/0168-583x(93)96205-q
https://doi.org/10.1016/0168-583x(93)96205-q
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.