Zobrazeno 1 - 10
of 31
pro vyhledávání: '"E.N. Shauly"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 22:305-316
This paper proposes a new method to decrease the absolute value of temperature coefficient of resistance (TCR) in P-type boron implanted polysilicon resistors, at a given intermediate sheet resistance values, by selecting an optimized combination of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::abcfc52d16f2d00cc444f3d8a3d5ec5c
https://doi.org/10.1109/tsm.2009.2017655
https://doi.org/10.1109/tsm.2009.2017655
Publikováno v:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 15:60-70
This paper describes the application of model-based principal component analysis (MBPCA) to the identification and isolation of faults in NMOS manufacture. In MBPCA, multivariate statistics are applied to the analysis of the portion of the data varia
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::96eb8dd31ad9c1c994541f8133b08a76
https://doi.org/10.1109/66.983445
https://doi.org/10.1109/66.983445
Publikováno v:
ICECS
This work deals with the simulation of two-dimensional impurity diffusion in CMOS silicon devices. The reverse modeling method was used to determine the diffusion coefficient (D/sub I/), surface recombination rate of defects (K/sub I/) and the charac
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9afd03a5cadc1041ada01386bfd30aea
https://doi.org/10.1109/icecs.2004.1399693
https://doi.org/10.1109/icecs.2004.1399693
Autor:
Y. Hai, E.N. Shauly
Publikováno v:
Ion Implantation Technology. 2002. Proceedings of the 14th International Conference on.
High-energy well implants for advanced 0.18mm CMOS technologies are performed at normal incidence angles for minimizing the shadowing caused by the thick photoresist and the STI dimensions. Under these conditions (high-energy, normal incidence), even
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1d7a3c83499de8fe7bf2e1961240dca3
https://doi.org/10.1109/iit.2002.1257995
https://doi.org/10.1109/iit.2002.1257995
Publikováno v:
MRS Proceedings. 316
Ion implantation in semiconductor devices frequently leads to a substantial wafer surface charge build up. Control of this charge during high current implantation is a major process issue, as it may affect the yield and reliability of thin dielectric
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c4f6a318cd1b9b1099ccfa409c02f8e3
https://doi.org/10.1557/proc-316-633
https://doi.org/10.1557/proc-316-633
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.