Zobrazeno 1 - 10
of 101
pro vyhledávání: '"E.M.S. Narayanan"'
Autor:
Q.Y. Tan, E.M.S. Narayanan
Publikováno v:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences: Technical Sciences, Vol 69, Iss 2 (2021)
This work evaluates the influence of gate drive circuitry to cascode GaN device’s switching waveforms. This is done by comparing three PCBs using three double-pulse-test (DPT) with different gate driving loop design. Among important parasitic eleme
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/431bd233c9e34faf86742876350251ef
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 20:580-582
This letter demonstrates a simple way to improve the performance of a planar, fine lithography insulated gate bipolar transistor (IGBT), by incorporating a trench gate between the cathode cells. The results of this new trench-planar IGBT (TPIGBT) cle
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d786cf72dc8508fcc728720ec140e339
https://doi.org/10.1109/55.798050
https://doi.org/10.1109/55.798050
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 1998. Technical Digest (Cat. No.98CH36217).
A novel high voltage polycrystalline silicon thin film transistor, with an improved on state and transient performance, is presented in this report. The key features of the new structure are the combination of a p/sup +/ drain and a semi-insulating f
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::577dccfc72069d0dc0f262b4a84b9267
https://doi.org/10.1109/iedm.1998.746353
https://doi.org/10.1109/iedm.1998.746353
Autor:
Zuxin Qin, E.M.S. Narayanan
Publikováno v:
Proceedings of Second International Conference on Power Electronics and Drive Systems.
In this paper, a novel, planar, multi-cell lateral insulated gate bipolar transistor in the double epitaxial layer dielectric isolation technology is proposed for the first time. This multi-cell lateral insulated gate bipolar transistor exhibits a un
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b5cc7d053c93b5f0e9f371c8424e4a36
https://doi.org/10.1109/peds.1997.618651
https://doi.org/10.1109/peds.1997.618651
Autor:
E.M.S. Narayanan, Zuxin Qin
Publikováno v:
Proceedings of 9th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's.
In this paper a novel multi cathode cell approach to improve the on-state performance of Lateral Insulated Gate Bipolar Transistors (LIGBTs) is proposed. This approach does not require any additional process modification to a HV-CMOS technology. Deta
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1d59f3d46b59580172532c824f3f31ec
https://doi.org/10.1109/ispsd.1997.601503
https://doi.org/10.1109/ispsd.1997.601503
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.