Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"E.M. Rehder"'
Publikováno v:
ECS Transactions. 33:129-139
Epitaxially deposited GaAs and related lattice matched materials have become ubiquitous in power amplifiers and switches for RF mobile and wireless applications. Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs) are commonly used in these power amplifiers, w
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ba068c93adeeda3bf84724eee0969313
https://doi.org/10.1149/1.3485613
https://doi.org/10.1149/1.3485613
Autor:
R S Setzko, E.M. Rehder, Charles R. Lutz, Roger E. Welser, Kevin S. Stevens, D S Hill, P.J. Zampardi
Publikováno v:
Journal of Physics: Condensed Matter. 16:S3373-S3385
We have developed an InGaP/GaInAsN/GaAs double heterojunction bipolar transistor technology that substantially improves upon existing GaAs-based HBTs. Band-gap engineering with dilute nitride GaInAsN alloys is utilized to enhance a variety of key dev
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cd747302683f3d604e53c19634df2c18
https://doi.org/10.1088/0953-8984/16/31/025
https://doi.org/10.1088/0953-8984/16/31/025
Publikováno v:
2004 IEEE International SOI Conference (IEEE Cat. No.04CH37573).
We experimentally investigate the details of the minority electron transport across the base of a GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT). A stepwise doping change in the base layer is employed to locally accelerate the electrons and enhance the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d1336b3cc60d5e051406c720eee3c220
https://doi.org/10.1109/csics.2004.1392494
https://doi.org/10.1109/csics.2004.1392494
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.