Zobrazeno 1 - 10
of 26
pro vyhledávání: '"E.M. Griswold"'
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 267:592-597
High-performance MOCVD-grown N-p-N InP/GaAsSb/InP DHBTs based on epitaxial layers deposited on 100 mm InP substrates are reported. The transistors feature the first nearly ideal emitter/base junction characteristics reported for material grown using
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8d2e167adfbc261f89e53a94b4e99a00
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.04.035
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.04.035
Autor:
Karin Hinzer, R. Williams, F. Robert, R.W. Glew, M. Extavour, J.K. White, D. Goodchild, G. Smith, E.M. Griswold, Anthony J. SpringThorpe
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 251:760-765
Compressively strained MQW InAlGaAs laser structures have been grown on [1 0 0] sulfur-doped InP substrates using digital alloy molecular beam epitaxy at temperatures in the range 480–585°C. In the limited temperature interval ∼520–555°C quan
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::80ef45de659dbb4a08905deefdc781a4
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02195-4
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02195-4
Publikováno v:
Applied Surface Science. 180:200-208
A study has been made of the effect of relatively high-energy particle (i.e. Ar+, Cu0, Ti0) treatment of the Cyclotene surface on the adhesion of deposited metals. XPS has revealed that all the particles damage the surface in the same manner, limitin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3aabf20b227f698f71809a363a1f8ecc
https://doi.org/10.1016/s0169-4332(01)00339-7
https://doi.org/10.1016/s0169-4332(01)00339-7
Publikováno v:
International Conference on Molecular Bean Epitaxy.
As part of an investigation of the optimum growth conditions for the preparation of strained MQW InAlGaAs lasers for operation at 1.3 /spl mu/m, one to six quantum well structures, with up to 1.4% strain, have been grown at temperatures in the range
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5da09c791a2f7491a0718c19aa2243e8
https://doi.org/10.1109/mbe.2002.1037770
https://doi.org/10.1109/mbe.2002.1037770
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.