Zobrazeno 1 - 10
of 143
pro vyhledávání: '"E.L. Piner"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. Singhal, T. Li, A. Chaudhari, A.W. Hanson, R. Therrien, J.W. Johnson, W. Nagy, J. Marquart, P. Rajagopal, J.C. Roberts, E.L. Piner, I.C. Kizilyalli, K.J. Linthicum
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 46:1247-1253
GaN devices exhibit excellent potential for use in many RF applications. However, commercial acceptance of the technology has been hindered by the scarcity and non-statistical nature of reliability results. In this work we present a full device level
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5bc89812dd95525d2b6283b49c900e06
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2006.02.009
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2006.02.009
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J.W. Johnson, E.L. Piner, A. Vescan, R. Therrien, P. Rajagopal, J.C. Roberts, J.D. Brown, S. Singhal, K.J. Linthicum
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 25:459-461
Al/sub 0.26/Ga/sub 0.74/N-GaN heterojunction field-effect transistors were grown by metal-organic chemical vapor deposition on high-resistivity 100-mm Si (111) substrates. Van der Pauw sheet resistance of the two-dimensional electron gas was 300 /spl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2ef6bfba747e0b60cf7d337f363848c5
https://doi.org/10.1109/led.2004.831190
https://doi.org/10.1109/led.2004.831190
Autor:
S. Singhal, T. Li, A. Chaudhari, A.W. Hanson, R. Therrien, J.W. Johnson, W. Nagy, J. Marquart, P. Rajagopal, E.L. Piner, K.J. Linthicum
Publikováno v:
[Reliability of Compound Semiconductors] ROCS Workshop, 2005..
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::69405063bcc494d514feba4e31c20dad
https://doi.org/10.1109/rocs.2005.201560
https://doi.org/10.1109/rocs.2005.201560
Publikováno v:
31st European Solid-State Device Research Conference.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e9d4740a2b1b5445243f530cff82a872
https://doi.org/10.1109/essderc.2001.195267
https://doi.org/10.1109/essderc.2001.195267
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.