Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"E.J. Zimany"'
Autor:
M.F. Tompsett, D.W. Green, E.J. Zimany, J.M. Trosino, J. Plany, J.R. Barner, S.J. Daubert, J.M. Khoury
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 1988 Custom Integrated Circuits Conference.
A description is given of a mixed analog/digital chip that forms the core of a low-speed modem for use over standard telephone lines. It meets CCITT and AT&T requirements for data transmission at 1200 and 2400 b/s and the AT&T requirements for 300-b/
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 23:108-116
This paper describes the design and performance of a 16-kbit charge-coupled serial memory device. The memory is organized in four blocks of 4 kbits each with on-chip decoding and is mounted in a 16-pin ceramic dual-in-line hermetic package. Each 4-kb
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 12:626-632
Self-contained single-chip charge-coupled split-electrode filters with 55 taps and a novel channel structure have been built with a double-level polysilicon NMOS process. Operating at a sample rate of 32 kHz, these devices provide a low-pass filter f
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 21:712-720
Charge-coupled area image sensors with 220 by 256 cells have been built using a three-phase overlapping electrode structure. Each of the three sets of electrodes is formed in a separate level of polysilicon which are isolated from each other by a the
Autor:
D.W. Green, E.J. Zimany, J.M. Trosino, S.J. Daubert, J. Plany, M.F. Tompsett, J.R. Barner, J.M. Khoury
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 24:281-291
A mixed analog/digital chip that forms the core of a medium-speed modem for use on the public switched telephone network is described. It meets CCITT and AT&T requirements for data transmission at 2400 and 1200 b/s, and the AT&T requirement for 300-b
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 23:183-189
A charge-coupled image sensor of the vertical frame transfer type has been fabricated with three-phase three-level polysilicon electrodes. The device has 496 vertically interlaced rows of elements and 475 resolution elements/line. The imaging area, m
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.