Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"E.J. Sprogis"'
Autor:
E.J. Sprogis, R.E. Newhart
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures.
This paper describes a defect monitoring test site that allows rapid isolation and identification of VLSI processing defects using functional test bit maps and pattern recognition programs. Some structural parts may be tested in-line.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::77e0d256dbc773e9f94cc7e4acde9b47
https://doi.org/10.1109/icmts.1988.672943
https://doi.org/10.1109/icmts.1988.672943
Autor:
T.V. Rajeevakumar, B.J. Ginsberg, E.J. Sprogis, B.J. Machesney, Nicky Chau-Chun Lu, G.B. Bronner
Publikováno v:
Technical Digest., International Electron Devices Meeting.
A novel three-dimensional buried trench (BT) memory cell, suitable for DRAM (dynamic random access memories) of 64 Mb or beyond, has been demonstrated. It uses a novel self-aligned-epitaxy-over-trench (SEOT) technology which allows the fabrication of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e17e1938fa3e9122a55933f2a5a5f5fb
https://doi.org/10.1109/iedm.1988.32883
https://doi.org/10.1109/iedm.1988.32883
Autor:
E.J. Sprogis
Publikováno v:
Proceedings of the 1991 International Conference on Microelectronic Test Structures.
The magnitude of the threshold difference between cross-coupled FET pairs of a DRAM (dynamic random-access memory) sense amplifier directly detracts from the amount of signal developed. A static testing technique is described that quickly and accurat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ff77bc130f7aef373d42a5d906b38bca
https://doi.org/10.1109/icmts.1990.161721
https://doi.org/10.1109/icmts.1990.161721
Publikováno v:
International Conference on Microelectronic Test Structures.
An array diagnostic monitor (ADM) is described which is useful in the early stages of dynamic random access memory (DRAM) technology development. The ADM's unique feature is that it has key diagnostic capabilities designed in parallel with full AC te
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a07d10331e4c6acc922e9d22f336889e
https://doi.org/10.1109/icmts.1990.67897
https://doi.org/10.1109/icmts.1990.67897
Autor:
Roy Edwin Scheuerlein, R.L. Mohler, E.J. Sprogis, Wendell P. Noble, B.J. Machesney, W.J. Craig, S. Dash, D.L. Critchlow, Nicky Chau-Chun Lu, P.E. Cottrell, L.M. Terman, R.M. Parent, Tak H. Ning
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 21:627-634
A (dynamic random-access memory) DRAM cell using a trench capacitor with a grounded substrate plate has been demonstrated, fabricated of functional fully decoded 64K arrays. The cell array is located inside the well and the trench capacitor extends f
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dc175072227ea20573ce4e170f83af53
https://doi.org/10.1109/jssc.1986.1052587
https://doi.org/10.1109/jssc.1986.1052587
Autor:
E.J. Sprogis
Publikováno v:
Proceedings of the 1989 International Conference on Microelectronic Test Structures.
A new type of vernier design which is digital in nature yet extremely dense is described. It does not require any functional circuitry to operate. Measurements can be made rapidly by simple inspection of the structure with scanning electron microscop
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e23741112a3a21a6f85c550a7c18f8d2
https://doi.org/10.1109/icmts.1989.39296
https://doi.org/10.1109/icmts.1989.39296
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.