Zobrazeno 1 - 10
of 71
pro vyhledávání: '"E.I. Shabunina"'
Autor:
A. V. Sakharov, Andrey E. Nikolaev, N. A. Tal'nishnih, N. M. Shmidt, V.N. Petrov, E.I. Shabunina, E. V. Gushchina, Anton E. Chernyakov
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 520:82-84
AFM study of surface morphology in green LED structures and multifractal analysis allowed us to reveal a relationship between step-meandering morphology quantitatively characterized by a multifractal parameter, the degree of disorder, and features of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::abf4eb50e3d61ac80e6424b986f953e8
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.05.015
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.05.015
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Alexander N. Smirnov, Alexander Usikov, P. A. Dement’ev, I. A. Eliseyev, Alexandr Dmitrievich Roenkov, A. A. Lebedev, Sergey P. Lebedev, E.I. Shabunina, Yu N. Makarov, M V Puzyk, N. M. Shmidt, A. V. Zubov
Publikováno v:
Journal of Physics: Conference Series. 1697:012130
Graphene is considered as a promising candidate for manufacturing of sensors due to its extreme sensitivity to molecule absorption. In this work, we show the connection between the electrical and optical properties of epitaxial graphene chips grown o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8a8843003b7030632f1ccb2bd289bd9d
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1697/1/012130
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1697/1/012130
Autor:
N. M. Shmidt, Alexander Usikov, Anton E. Chernyakov, Hikki Helava, E.I. Shabunina, Yu.N. Makarov, Sergey Kurin
Publikováno v:
physica status solidi c. 12:1136-1139
It has been demonstrated that, along with well-known mechanisms of defect generation (DG) under injection current in fabricated UV- and commercial blue-LED chips based on A3N nanostructures, other defect generation mechanisms are possible in local re
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2ed2e9bc576306e4583eb8a54a56cafd
https://doi.org/10.1002/pssc.201400218
https://doi.org/10.1002/pssc.201400218
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
E.I. Shabunina, Alexandr Dmitrievich Roenkov, Anton E. Chernyakov, N. M. Shmidt, Heikki Helava, Alexander Usikov, A A Antipov, S Yu Kurin, A. V. Sakharov, Yu.N. Makarov, I. S. Barash
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 40:574-577
Final stage of the degradation of the external quantum efficiency of AlGaN/GaN UV light-emitting diodes (LEDs), grown by chloride-hydride vapor-phase epitaxy, and high-power InGaN/GaN blue LEDs, produced by metal-organic vapor-phase epitaxy, has been
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e7919f2cd4f5ec4fadcabc6a8726c265
https://doi.org/10.1134/s1063785014070104
https://doi.org/10.1134/s1063785014070104
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
N. M. Shmidt, E.I. Shabunina, Anton E. Chernyakov, A. L. Zakheim, M.E. Levinshtein, P.V. Petrov
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 52:2180-2183
Unpredictable fast failure of blue power InGaN/GaN LEDs is caused by redistribution of In under action of injection currents between nano-scale regions of InGaN alloy with non-equilibrium composition. Unreliable LEDs can be recognized by the increase
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fe88d09e44d5469343d9d7fac95da65d
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2012.06.051
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2012.06.051
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 401:302-304
Low-frequency noise measurements, combined with the conventional techniques for the study of InGaN/GaN-based LEDs, make it possible to separate the contribution of conductive paths associated with the extended defect system (EDS) and point defects (P
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::501f73086c10a4fe8c3f8daded69a34a
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2013.11.097
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2013.11.097