Zobrazeno 1 - 10
of 59
pro vyhledávání: '"E.I. Cole"'
Publikováno v:
EDFA Technical Articles. 1:13-22
Sandia National Laboratories manufactures 0.5 µm CMOS ICs using local oxidation of silicon (LOCOS) and shallow trench isolation (STI) technologies. A program based on burn-in and life tests is being used to qualify the process for military and space
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fdfe430d2f55ffa86dbcbd7a7b3ebfcc
https://doi.org/10.31399/asm.edfa.1999-2.p013
https://doi.org/10.31399/asm.edfa.1999-2.p013
Autor:
E.I. Cole
Publikováno v:
CICC
Optical beam failure analysis methods provide unique capabilities to identify and localize defect types that would be difficult or impossible by other methods. by understanding the physics of signal generation, the user gains the insight necessary to
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::467033a1995ed15b7d2404b368dac198
https://doi.org/10.1109/cicc.2008.4672018
https://doi.org/10.1109/cicc.2008.4672018
Autor:
E.I. Cole
Publikováno v:
2006 International Electron Devices Meeting.
The explosion in complexity of modern ICs resulting from reduced feature sizes, circuit density, and sophisticated electrical stimulus has made failure analysis and defect localization extremely difficult. Dense metallization and flip-chip packaging
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::811459af26c6bcedae13b470e4bc1f5f
https://doi.org/10.1109/iedm.2006.346968
https://doi.org/10.1109/iedm.2006.346968
Autor:
E.I. Cole
Publikováno v:
28th Annual Proceedings on Reliability Physics Symposium.
A scanning electron microscopy imaging technique to examine the voltage level of conductors on passivated CMOS integrated circuits is discussed. Biased resistive contrast imaging uses a modified resistive contrast imaging system to acquire image data
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::963cb7e536339c2a0b533164d26cae25
https://doi.org/10.1109/relphy.1990.66060
https://doi.org/10.1109/relphy.1990.66060
Two new failure analysis techniques have been developed for backside and front side localization of open and shorted interconnections on ICs. These scanning optical microscopy techniques take advantage of the interactions between IC defects and local
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3efc4e8e926bc217dd6e80e10ad210b1
https://doi.org/10.2172/750173
https://doi.org/10.2172/750173
Publikováno v:
International Symposium for Testing and Failure Analysis.
We present the results of recent failure analysis of an advanced, 0.5 um, fully planarized, triple metallization CMOS technology. A variety of failure analysis (FA) tools and techniques were used to localize and identify defects generated by wafer pr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::09e06ed3e95977275b05e9b8c04d9528
https://doi.org/10.31399/asm.cp.istfa1996p0149
https://doi.org/10.31399/asm.cp.istfa1996p0149
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.