Zobrazeno 1 - 10
of 56
pro vyhledávání: '"E.G. Liniger"'
Publikováno v:
Proceedings of the Royal Society of London. Series A: Mathematical and Physical Sciences. 447:271-279
The mechanics of delamination from an edge flaw in a laminated material is presented. Two different types of failure mechanism have been identified: uniform delamination along the crack front and localized delamination which can be initiated if the l
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3abb1af7c3c6adc9098a3dbc23fcfeaf
https://doi.org/10.1098/rspa.1994.0140
https://doi.org/10.1098/rspa.1994.0140
Publikováno v:
2005 IEEE International Integrated Reliability Workshop.
In a study of the TDDB performance of an ultra-low-k (ULK) dielectric (JSR 5537 k = 2.3) it was found that the presence of moisture significantly reduced the TDDB lifetime as well as increased leakage and capacitance. It was also observed that the fi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fd9167928d42874c1b703580b6e3b342
https://doi.org/10.1109/irws.2005.1609559
https://doi.org/10.1109/irws.2005.1609559
Autor:
J. Wright, X.-H. Liu, Christopher D. Muzzy, Swastika N. Das, Birendra N. Agarwala, T. Van Kleeck, Jason Gill, M. Ono, W. Wille, Stephen M. Gates, Ann Swift, Jeremy L. Martin, C. Parks, Philip L. Flaitz, Yanfeng Wang, M. Yoon, Kaushik Chanda, S. Vogt, William F. Landers, W.-K. Li, F. Chen, K. Ida, E.G. Liniger, David L. Questad, A. Cowley, T. Ivers, A. Carbone, T. Shaw, D. Klaus, S. Nguyen, Y.-H. Lin, James J. Demarest, Daniel C. Edelstein, John A. Fitzsimmons, Andrew H. Simon, S. Molis, T. Nogami, D. Nguyen, Timothy J. Dalton, P. Davis, S. Arai, E. Simonyi, J. Lee, R. G. Filippi, Darryl D. Restaino, Chester T. Dziobkowski, Stephan A. Cohen, Michael Lane, D. Hawken, Charles R. Davis, W. Cote, A. Sakamoto, Sandra G. Malhotra, Chih-Chao Yang, Derren N. Dunn, N. Klymko, M. Cullinan, Larry Clevenger, S. Lane, Y. Shimooka, A. Madan, Hazara S. Rathore, Alfred Grill
Publikováno v:
2004 IEEE International Reliability Physics Symposium. Proceedings.
Integration and development of Cu Back-End of Line (BEOL) with PECVD low-k organosilicate glass (OSG, also called SiCOH, carbon-doped oxide, CDO, etc.) for 130 nm and 90 nm CMOS technologies has been reported by a number of institutions. Here we repo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::044c9de7d72a4a118b86c5b5bb31a71f
https://doi.org/10.1109/relphy.2004.1315344
https://doi.org/10.1109/relphy.2004.1315344
Publikováno v:
Advanced Ceramic Materials. 2:698-700
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b50fbb6a3951dc8ae84fe5cb4188aefa
https://doi.org/10.1111/j.1551-2916.1987.tb00136.x
https://doi.org/10.1111/j.1551-2916.1987.tb00136.x
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.