Zobrazeno 1 - 10
of 38
pro vyhledávání: '"E.G. Ioannidis"'
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 151:36-39
In this paper, we present a detailed investigation of low frequency noise (LFN) for different n-MOSFET devices dedicated for memory applications. We investigate the impact of the gate oxide thickness (GOX) on LFN. We analyzed how the position, the ex
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fc880fed813cd573682e9e626afd6987
https://doi.org/10.1016/j.sse.2018.10.016
https://doi.org/10.1016/j.sse.2018.10.016
Autor:
E.G. Ioannidis, Ewald Wachmann, Friedrich Peter Leisenberger, Verena Vescoli, K. Rohracher, Walter Pflanzl, F. Roger, E. Seebacher
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 135:1-7
In this paper, we present a detailed investigation of the impact of different Lightly Doped Drain (LDD) implants and different well doping on the low frequency noise performance of n- and p-MOS devices from a CMOS technology node. We investigate the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4ca70aadd8adf18cafd9e38510bdc578
https://doi.org/10.1016/j.sse.2017.06.006
https://doi.org/10.1016/j.sse.2017.06.006
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 126:158-162
In this paper, we present a detailed investigation of the impact of hydrogen anneal on the low frequency noise spectra of n- and p-MOS devices from an advanced CMOS technology node. We investigate the impact of hydrogen anneal in three different wafe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::71d176e59ff894d24dbed4be949c8589
https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.08.003
https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.08.003
Publikováno v:
Solid-State Electronics
Solid-State Electronics, 2016, 118, pp.4-11. ⟨10.1016/j.sse.2016.01.002⟩
Solid-State Electronics, Elsevier, 2016, 118, pp.4-11. ⟨10.1016/j.sse.2016.01.002⟩
Solid-State Electronics, 2016, 118, pp.4-11. ⟨10.1016/j.sse.2016.01.002⟩
Solid-State Electronics, Elsevier, 2016, 118, pp.4-11. ⟨10.1016/j.sse.2016.01.002⟩
In this paper, we present, for the first time, a detailed investigation of the drain current local variability in advanced n-MOS devices from 28 and 14 nm FDSOI technology nodes. A simple MOSFET compact model is built to reproduce the local variabili
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::dedea76c4802c5c22a91bd2575751666
https://hal.science/hal-01947676
https://hal.science/hal-01947676
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.