Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"E.D. Orrell"'
Autor:
David J. Cole-Hamilton, Deodatta Vinayak Shenai-Khatkhate, D.C. Cupertino, E.D. Orrell, J.B. Mullin
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 77:27-31
The preparation of adducts of Me2Cd and Me2Zn with a range of nitrogen donor ligands has been investigated. Those with two nitrogen atoms, which cannot for geometrical reasons bind to the same metal atom, are shown to give involatile polymeric adduct
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8d73348609a28391452798567e61b0e5
https://doi.org/10.1016/0022-0248(86)90277-0
https://doi.org/10.1016/0022-0248(86)90277-0
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 91:57-62
It is shown that adducts such as Me2Zn(1,4-dioxan) and Me2Zn(1,4-thioxan) can be used to grow high quality layers of ZnSe and other wide-band gap II–VI compounds by metalorganic chemical vapour deposition with significant advantages over existing g
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c6123892bcf064f11db3e5a96fa4f6e4
https://doi.org/10.1016/0022-0248(88)90366-1
https://doi.org/10.1016/0022-0248(88)90366-1
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 91:63-66
The use of the dimethylzinc-tetramethylethylenediamine (Me2Zn-TMED) adduct as a dopant for the growth of GaAs by MOCVD is reported. Using this reagent reproducible p-type doping at low levels, over the range 1015 to 1017 cm-3, can be achieved. The la
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dd46b28d1451a7977e18592698b371b9
https://doi.org/10.1016/0022-0248(88)90367-3
https://doi.org/10.1016/0022-0248(88)90367-3
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 94:97-101
The growth of epitaxial layers of CdS, CdSe and CdS x Se 1- x (0 ⩽ x ⩽ 1) by MOCVD on to GaAs substrates is reported, using the adduct dimethylcadmium-1,4 dioxan. Good quality layers were grown in the temperature range 300 to 500°C. Layers were
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c8ecc49e001d2714bed41f61ff0763f4
https://doi.org/10.1016/0022-0248(89)90607-6
https://doi.org/10.1016/0022-0248(89)90607-6
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 84:552-554
It is shown that the adduct dimethyl zinc (1,4-dioxan) can be used successfully as the zinc source in reaction with hydrogen selenide to grow single crystal layers of ZnSe on to (100) GaAs substrates by MOCVD in the temperature range 200–500 °C. C
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::51c6ebbe6a4d4b2af2f03114032c8edf
https://doi.org/10.1016/0022-0248(87)90287-9
https://doi.org/10.1016/0022-0248(87)90287-9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.