Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"E.D. Nowak"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 44:627-634
The normal and reverse short-channel effect of LDD MOSFET's with lateral channel-engineering (pocket or halo implant) has been investigated. An analytical model is developed which can predict V/sub th/ as a function of L/sub eff/, V/sub DS/, V/sub BS
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7d7307002a9e984b17ed5801213feaac
https://doi.org/10.1109/16.563368
https://doi.org/10.1109/16.563368
Publikováno v:
International Electron Devices and Materials Symposium.
Silicon-on-Insulator (SOI) is becoming more attractive for enhancing performance as MOSFET physical dimensions are scaled down. In this work, a 0.5 micron process using bonded SOI material is compared to bulk CMOS. The comparisons include electrical
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b9470d0fbfe2404e86c04e2bd81164cf
https://doi.org/10.1109/edms.1994.771270
https://doi.org/10.1109/edms.1994.771270
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.