Zobrazeno 1 - 10
of 232
pro vyhledávání: '"E.A. Moore"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Research Bulletin. 159:112095
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0b8cfcb9350f3f1ce38c6b2a86b4a469
https://doi.org/10.1016/j.materresbull.2022.112095
https://doi.org/10.1016/j.materresbull.2022.112095
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
James Matthew Mann, C.A. Merriman, Karl Rickert, E.A. Moore, Martin M. Kimani, Timothy A. Prusnick
Publikováno v:
Journal of Nuclear Materials. 514:1-11
μ-Raman spectroscopy of UO2 has demonstrated its value as a tool in nuclear forensics and for analyzing nuclear fuels, but its ability to evaluate UO2 sample quality has been relatively unexplored. To investigate this potential, a three-pronged stud
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::90a14ade3cb643dbb89846574cec4029
https://doi.org/10.1016/j.jnucmat.2018.11.009
https://doi.org/10.1016/j.jnucmat.2018.11.009
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Current Applied Physics. 12:123-128
Electrical and optical activation studies of Al x Ga 1−x N ( x = 0.11 and 0.21) implanted with silicon were made as a function of ion dose and anneal temperature. Silicon ions were implanted at 200 keV with doses ranging from 1 × 10 14 to 1 × 10
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::87d3945aa874de634bcaefdb0eb935ca
https://doi.org/10.1016/j.cap.2011.05.007
https://doi.org/10.1016/j.cap.2011.05.007
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.