Zobrazeno 1 - 10
of 17
pro vyhledávání: '"E.A. Maximovski"'
Publikováno v:
Materials Science Forum. :197-200
Thin nanocrystalline CdS and CdxZn1-xS films have been synthesized on InP(100), Si(100), GaAs (100), sapphire(100) and fused silica substrates at low pressure (5 × 10-2-2 × 10 -1Torr)and in the temperature range of 473-673 K by remote plasma enhanc
Publikováno v:
Materials Science Forum. :493-498
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 470:253-257
Diffraction of synchrotron radiation (SR) was used to investigate crystalline structure and phase composition of thin films (1500–5000 A) of boron carbonitride. These films were synthesized by plasma-enhanced chemical vapor deposition using nontrad
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 470:193-197
The novel ternary silicon carbonitride films were synthesised by RPECVD using hexamethyldisilazane Si 2 NH(CH 3 ) 6 as a volatile single-source precursor. Different analysis techniques such as IR, Raman spectroscopy, ellipsometry, XPS, SEM, HRTEM, an
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 448:294-298
Crystalline structure and phase composition of thin boron and silicon carbonitride films were investigated using diffraction of synchrotron radiation (SR). These films were synthesized by RPECVD using nontraditional volatile precursors. The diffracti
Publikováno v:
Materials Science Forum. :230-235
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Michiyoshi Tanaka, E.A. Maximovski, F. Satoh, Marina Kosinova, K. Shibata, N.P. Sysoeva, Masami Terauchi, Fedor A. Kuznetsov, N. I. Fainer, Yu. M. Rumyantsev
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Thin Cd x Zn 1-x S films have been deposited on Si(100), GaAs (100) and fused silica substrates at low pressure in the temperature range of 473-673 K by remote plasma enhanced chemical vapor deposition (RPECVD) using Cd/Zn(S2CN(C 2 H 5 ) 2 ) 2 .C 10
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9b31938353f9d4f1147730f5241cfc93
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0034854705&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0034854705&partnerID=MN8TOARS
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.