Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"E.A. Hamadeh"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 54:2276-2282
A thermodynamic variational model derived by minimizing the Helmholtz free energy of the MOS device is presented. The model incorporates an anisotropic permittivity tensor and accommodates a correction for quantum-mechanical charge confinement at the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::599203436ffc5cbcaa9fd5dd08bce361
https://doi.org/10.1109/ted.2007.902903
https://doi.org/10.1109/ted.2007.902903
Publikováno v:
ISQED
Intra-die random fluctuation outcomes inherent to fabrication processes such as gate LER give rise to corresponding fluctuations in device characteristics. These fluctuations become significant for devices with channel length less than 50 nm, a featu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::524f1289df2f0fe75bdac3cc6b87e11d
https://doi.org/10.1109/isqed.2005.79
https://doi.org/10.1109/isqed.2005.79
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.