Zobrazeno 1 - 10
of 111
pro vyhledávání: '"E.A. Alekseev"'
Autor:
E.A. Alekseev, A.N. Labutin
Publikováno v:
Mathematical Methods in Technologies and Technics. :20-24
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ac888211b975aada886773e8e22cd9b4
https://doi.org/10.52348/2712-8873_mmtt_2022_4_20
https://doi.org/10.52348/2712-8873_mmtt_2022_4_20
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2014 20th International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications (MIKON).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::631decae65a10ef838366560970daa45
https://doi.org/10.1109/mikon.2014.6899861
https://doi.org/10.1109/mikon.2014.6899861
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 48:820-823
The dynamic characteristics of wurtzite (Wz) phase and zincblende (Znb) phase GaN IMPATTs are reported at D-band and compared with Si and GaAs-based IMPATT devices at the same operating conditions and frequency of operation. It is shown that GaN-base
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ef140a4105cdca3f0b77446853f55071
https://doi.org/10.1109/16.915735
https://doi.org/10.1109/16.915735
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 48:1473-1475
The potential of noise characteristics of Wz-phase and Znb-phase GaN IMPATTs is investigated and compared to Si and GaAs-based IMPATTs at D-band. The noise of GaN-based IMPATTs is found to be higher than that of GaAs-based IMPATTs but equivalent to S
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8700e97036619d874ed074c08143509f
https://doi.org/10.1109/16.930669
https://doi.org/10.1109/16.930669