Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"E. Xia Zhang"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tomas Palacios, Xiao Sun, Sharon Cui, Daniel M. Fleetwood, T. P. Ma, E. Xia Zhang, Omair I. Saadat, Jin Chen
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 60:4074-4079
We have investigated the total ionizing dose (TID) radiation effects in AlGaN/GaN MOS-HEMTs as a function of dose and radiation bias, and compared them with conventional HEMTs. Under 10 keV X-ray irradiation, two distinct regimes of threshold voltage
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c6ca1e1bfa45918642d551997e273357
https://doi.org/10.1109/tns.2013.2278314
https://doi.org/10.1109/tns.2013.2278314
