Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"E. Wisotzki"'
Autor:
E. Wisotzki, Dino Tonti, Andreas Klein, A. Thissen, R. Rudolph, Wolfram Jaegermann, A. B. M. O. Islam, Rainer Fritsche, C. Pettenkofer
A Si(111):GaSe van der Waals surface is prepared using sequential deposition of Ga and Se at elevated temperature on a Si(111)-7��7 surface. Surface properties were investigated by soft x-ray photoelectron spectroscopy and low-energy electron dif
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8fcf67b830c3ebdad90c54cc6c521b14
http://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19835/
http://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19835/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
C. Pettenkofer, Andreas Klein, E. Wisotzki, R. Rudolph, Rainer Fritsche, A. B. M. O. Islam, Wolfram Jaegermann, A. Thißen, Dino Tonti
Publikováno v:
Surface Science. 515:296-304
A Ga–Se half-sheet van der Waals surface termination on Si(1 1 1) is prepared in a two step process involving selenization of a monolayer gallium on the surface. Substrate and film growth were investigated in situ by high-resolution synchrotron X-r
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::93a01b92fc5f8b90a9ede0818cea61de
https://doi.org/10.1016/s0039-6028(02)01851-4
https://doi.org/10.1016/s0039-6028(02)01851-4
Publikováno v:
Materials Science Forum. :181-184
Thin ZrO 2 films have been grown on Si(100) oriented substrates using standard MBE-methods. In-situ oxidation of the films was accomplished using a novel oxygen source which produces highly reactive hyperthermal atomic oxygen with a flux density of >
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fd4930b8f384fdeae0b30630e57a2e3f
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.287-288.181
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.287-288.181
Publikováno v:
Thin Solid Films. 380:263-265
ZnSe has been grown on van der Waals surfaces of the layered chalcogenides InSe and GaSe. Its growth morphology, epitaxial relation and electronic band lineup were studied using XPS, UPS, LEED and HRSEM. The II–VI materials showed a strong tendency
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f82be6cecd809751fa8ee14138737a40
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(00)01520-0
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(00)01520-0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Advanced Materials; May2005, Vol. 17 Issue 9, p1173-1177, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.