Zobrazeno 1 - 10
of 25
pro vyhledávání: '"E. Vitanza"'
Publikováno v:
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::41ef8e45f3111870f3cc73c92ebff427
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10117973
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10117973
Autor:
B. Carbone, M. S. Alessandrino, A. Russo, E. Vitanza, F. Giannazzo, P. Fiorenza, F. Roccaforte
Publikováno v:
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8981966b6fe64a0ef10ee901fe5c0dd3
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10117835
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10117835
Publikováno v:
2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b3852162913ce61d07ddd6223861bbe1
https://doi.org/10.1109/irps48227.2022.9764513
https://doi.org/10.1109/irps48227.2022.9764513
Autor:
S. Alessandrino, B. Carbone, F. Cordiano, B. Mazza, A. Russo, W. Coco, M. Boscaglia, A. Di Salvo, A. Lombardo, D. Scarcella, E. Vitanza, P. Fiorenza
Publikováno v:
2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c49d1408a6bc51255beef5e694747206
https://doi.org/10.1109/irps48227.2022.9764423
https://doi.org/10.1109/irps48227.2022.9764423
Autor:
Alfio Russo, C. Venuto, Edoardo Zanetti, E. Vitanza, Patrick Fiorenza, C. Bottari, C. Di Martino, Mario S. Alessandrino, S. Adamo, Fabrizio Roccaforte, B. Carbone, Mario Saggio, Filippo Giannazzo
Publikováno v:
IRPS
In this work, the breakdown of 4H-SiC MOSFETs was correlated with the presence of different crystalline defects in the 4H-SiC epitaxial layer. First, in a wafer level characterization, the devices not working at t = 0 s showed the presence of down-fa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::135ef24e5f6b2850ca39d86dee6822a7
https://doi.org/10.1109/irps46558.2021.9405148
https://doi.org/10.1109/irps46558.2021.9405148
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2019 European Space Power Conference (ESPC).
This paper report the Failure Analysis results performed on SiC Mosfet with SEGR and PIGS failure after SEE test. The analysis discovered a hot spot in the SiC junction at the SEGR fail point.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::731e09a76fe84f990da8befa3110b862
https://doi.org/10.1109/espc.2019.8931999
https://doi.org/10.1109/espc.2019.8931999
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.