Zobrazeno 1 - 10
of 40
pro vyhledávání: '"E. Tymicki"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 586:126616
Autor:
Jacek M. Baranowski, Marek Potemski, R. Stępniewski, Krzysztof Grasza, K. Wardak, E. Tymicki, A. Wysmołek
Publikováno v:
International Journal of Modern Physics B. 23:3019-3023
Magneto- and piezo-spectroscopy of high quality bulk samples have been used to clarify the origin of the characteristic, V1, V2 and V3 luminescence lines observed in 6 H - SiC polytypes, correspondingly, at 1.433, 1.398, and 1.368 eV. The uniaxial st
Publikováno v:
Superlattices and Microstructures. 45:402-406
Deep level transient spectroscopy (DLTS) has been applied to study an effect of electron irradiation on the concentrations of deep-level defects in bulk 6H–SiC:N single crystals. Six electron traps labelled as T1A, T1B, T1C, T2, T3 and T4 with acti
Autor:
Krzysztof Grasza, Roman Stepniewski, K. Wardak, Jacek M. Baranowski, Marek Potemski, Andrzej Wysmołek, E. Tymicki
Publikováno v:
Acta Physica Polonica A. 110:437-442
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
Presented study concerns numerical simulation of Physical Vapor Transport (PVT) growth of bulk Silicon Carbide (SiC) crystals. Silicon Carbide is a wide band gap semiconductor, with numerous applications due to its unique properties. Wider applicatio
Autor:
Krzysztof Grasza, W. Hofman, Roman Stepniewski, Jacek M. Baranowski, Andrzej Wysmołek, Kacper Grodecki, E. Tymicki
Publikováno v:
Acta Physica Polonica A. 116:947-949
Raman piezospectroscopy of high quality 6H-SiC crystals is presented. The crystals used in experiments were grown by the seeded physical vapor transport method. Uniaxial stress up to 0.9 MPa, obtained using a spring apparatus, was applied along [11
Autor:
M. Chmielewski, Tomasz Falat, Mariusz Sochacki, Zbigniew Szczepański, E. Tymicki, Małgorzata Jakubowska, Ryszard Kisiel, Maciej Jarosz, A. Strojny, Marek Guziewicz
Publikováno v:
Proceedings of the 2011 34th International Spring Seminar on Electronics Technology (ISSE).
In this work, thermal properties of Al 2 O 3 , AlN, SiC as well as some of SiC die attachment materials are characterized by the laser flash method. The thermal diffusivity, specific heat and thermal conductivity were measured or calculated for the s
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.