Zobrazeno 1 - 10
of 355
pro vyhledávání: '"E. Tournié"'
Autor:
H. Kim, P. Didier, S. Zaminga, D. A. Díaz-Thomas, A. N. Baranov, J. B. Rodriguez, E. Tournié, H. Knötig, B. Schwarz, L. Cerutti, O. Spitz, F. Grillot
Publikováno v:
APL Photonics, Vol 9, Iss 10, Pp 106103-106103-9 (2024)
Interband cascade lasers typically have significantly lower threshold current and power consumption than quantum cascade lasers. They can also have advantages regarding costs and compactness with the photonic integration onto silicon substrates by ep
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/03f5864e0f1644ccb09969ea6bc72efc
Autor:
E. Rogowicz, J. Kopaczek, M. P. Polak, O. Delorme, L. Cerutti, E. Tournié, J.-B. Rodriguez, R. Kudrawiec, M. Syperek
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 12, Iss 1, Pp 1-10 (2022)
Abstract We present experimental studies on low-temperature ( $$T={4.2}\hbox { K}$$ T = 4.2 K ) carrier dynamics in (Ga,In)(Sb,Bi)/GaSb quantum wells (QWs) with the nominal In content of 3.7% and the Bi ranging from 6 to 8%. The photoreflectance expe
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/72ea6f9572d9400ea25ea17c9ace1feb
Autor:
C. Avogadri, S. Gebert, S. S. Krishtopenko, I. Castillo, C. Consejo, S. Ruffenach, C. Roblin, C. Bray, Y. Krupko, S. Juillaguet, S. Contreras, A. Wolf, F. Hartmann, S. Höfling, G. Boissier, J.-B. Rodriguez, S. Nanot, E. Tournié, F. Teppe, B. Jouault
Publikováno v:
Physical Review Research, Vol 4, Iss 4, p L042042 (2022)
Quantum spin Hall insulators (QSHIs) based on HgTe and three-layer InAs/GaSb quantum wells (QWs) have comparable bulk band gaps of about 10–18 meV. The former, however, features a band gap vanishing with temperature, while the gap in InAs/GaSb QSHI
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f77fdcf9bf0f44c8a93cbfe63f1e2964
Autor:
Z. Loghmari, J.-B. Rodriguez, A. N. Baranov, M. Rio-Calvo, L. Cerutti, A. Meguekam, M. Bahriz, R. Teissier, E. Tournié
Publikováno v:
APL Photonics, Vol 5, Iss 4, Pp 041302-041302-4 (2020)
We present InAs/AlSb quantum cascade lasers (QCLs) monolithically integrated on an on-axis (001) Si substrate. The lasers emit near 8 μm with threshold current densities of 0.92–0.95 kA/cm2 at 300 K for 3.6-mm-long devices and operate in pulsed mo
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b2c584884fc7487cb01105d491dd469f
Publikováno v:
APL Photonics, Vol 2, Iss 6, Pp 061301-061301-5 (2017)
We report on electrically pumped GaSb-based laser diodes monolithically grown on Si and operating in a continuous wave (cw) in the telecom wavelength range. The laser structures were grown by molecular-beam epitaxy on 6°-off (001) substrates. The
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c6ae6f011a27405ab0bb8d2735a0864f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.