Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"E. Tisbi"'
Autor:
Jos E. Boschker, E. Tisbi, E. Placidi, Jamo Momand, Andrea Redaelli, Bart J. Kooi, Fabrizio Arciprete, Raffaella Calarco
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 7, Iss 1, Pp 015106-015106-8 (2017)
The realization of textured films of 2-dimensionally (2D) bonded materials on amorphous substrates is important for the integration of this material class with silicon based technology. Here, we demonstrate the successful growth by molecular beam epi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6202912fe0c4467f93dd48c9b0561b9d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanoscience and nanotechnology letters
9 (2017): 1083–1094. doi:10.1166/nnl.2017.2444
info:cnr-pdr/source/autori:V. Latini, E. Placidi, R. Magri, E. Tisbi, F. Patella, F. Arciprete/titolo:Strain-engineered arrays of InAs quantum dots on GaAs(001): epitaxial growth and modeling/doi:10.1166%2Fnnl.2017.2444/rivista:Nanoscience and nanotechnology letters (Print)/anno:2017/pagina_da:1083/pagina_a:1094/intervallo_pagine:1083–1094/volume:9
info:cnr-pdr/source/autori:Latini V., Placidi E., Magri R., Tisbi E., Patella F., Arciprete F./titolo:Strain-engineered arrays of InAs quantum dots on GaAs(001): Epitaxial growth and modeling/doi:10.1166%2Fnnl.2017.2444/rivista:Nanoscience and nanotechnology letters (Print)/anno:2017/pagina_da:1083/pagina_a:1094/intervallo_pagine:1083–1094/volume:9
9 (2017): 1083–1094. doi:10.1166/nnl.2017.2444
info:cnr-pdr/source/autori:V. Latini, E. Placidi, R. Magri, E. Tisbi, F. Patella, F. Arciprete/titolo:Strain-engineered arrays of InAs quantum dots on GaAs(001): epitaxial growth and modeling/doi:10.1166%2Fnnl.2017.2444/rivista:Nanoscience and nanotechnology letters (Print)/anno:2017/pagina_da:1083/pagina_a:1094/intervallo_pagine:1083–1094/volume:9
info:cnr-pdr/source/autori:Latini V., Placidi E., Magri R., Tisbi E., Patella F., Arciprete F./titolo:Strain-engineered arrays of InAs quantum dots on GaAs(001): Epitaxial growth and modeling/doi:10.1166%2Fnnl.2017.2444/rivista:Nanoscience and nanotechnology letters (Print)/anno:2017/pagina_da:1083/pagina_a:1094/intervallo_pagine:1083–1094/volume:9
Working under critical conditions for dot nucleation in a Molecular Beam Epitaxy chamber, we were able to drive the formation of InAs dot chains to precise locations in multilayered samples grown on a rippled GaAs(001) surface. We discussed the role
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8ebeb7cc0d7f67048d58e1b1d5b4cbf5
http://hdl.handle.net/2108/189768
http://hdl.handle.net/2108/189768
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.