Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"E. Stepke"'
Autor:
E. Stepke, S. Sinharoy, J. H. Rieger, W. J. Takei, N.J. Doyle, Donald R. Lampe, M. H. Francombe, H. Buhay
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 9:409-413
Experimental data are presented that confirm ferroelectric thin films of BaMgF4 can be grown by ultrahigh vacuum (UHV) sublimation on semiconductor and metallized substrates at temperatures below 500 °C. Hysteresis properties of the films are shown
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e6c8e3d10768955ab719353ea6f6fcf6
https://doi.org/10.1116/1.577423
https://doi.org/10.1116/1.577423
Publikováno v:
[Proceedings] 1990 IEEE 7th International Symposium on Applications of Ferroelectrics.
Stoichiometric bismuth titanate films were prepared on MgO, Si, and Pt-coated Si by the technique of pulsed excimer laser deposition. This technique is a high-energy process with the potential to form the ferroelectric phase at a lower temperature th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e56006a35f1524be4cf84d5be85f2cc8
https://doi.org/10.1109/isaf.1990.200213
https://doi.org/10.1109/isaf.1990.200213
Publikováno v:
[Proceedings] 1990 IEEE 7th International Symposium on Applications of Ferroelectrics.
Experimental evidence collected and evaluated during the preliminary development of a FEMFET (ferroelectric memory FET) is presented. In addition to microstructural characterization and ferroelectric polarization measurements, capacitance-voltage (C-
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ba8abc9828f0eac463861f372e5b6adf
https://doi.org/10.1109/isaf.1990.200219
https://doi.org/10.1109/isaf.1990.200219
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 58:1470-1472
Stoichiometric films of bismuth titanate, Bi4Ti3O12, have been grown for the first time by the technique of pulsed excimer laser deposition. Ferroelectric films were obtained at temperatures as low as 500 °C on Si(100), MgO(110), and Pt‐coated Si(
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4856e926aa29a0d86bbea0195df7e874
https://doi.org/10.1063/1.105200
https://doi.org/10.1063/1.105200
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.