Zobrazeno 1 - 10
of 208
pro vyhledávání: '"E. Rzepka"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
E. Rzepka, Vy Yam, Charles Renard, Daniel Bouchier, D. Cammilleri, Y. Zheng, Frédéric Fossard, Mathieu Halbwax
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2007, 308 (1), pp.26-29. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2007.07.047⟩
Journal of Crystal Growth, 2007, 308 (1), pp.26-29. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2007.07.047⟩
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2007, 308 (1), pp.26-29. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2007.07.047⟩
Journal of Crystal Growth, 2007, 308 (1), pp.26-29. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2007.07.047⟩
International audience; In this work, the growth of germanium by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition on a 0.6nm thick SiO2 layer formed on Si(0 0 1) is investigated by in situ reflection high-energy electron diffraction, high-resolution transm
Publikováno v:
Superlattices and Microstructures. 42:242-245
We report on micro-Raman measurements performed under various visible excitations on wurtzite Zn 1− x Mn x O thin films grown by MOCVD, for a wide range of Mn content ( 0 x 0.22 ) . We observe a shift of the frequency of the E 2 phonon for increasi