Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"E. Penteker"'
Publikováno v:
Journal of Micromechanics and Microengineering. 2:113-116
The basic principles of wafer fusion bonding including pretreatment, room temperature mating, and thermal annealing are presented. Techniques for the characterization of the bond quality are reviewed. Results for fusion bonding of other materials suc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0f29e486e7aedd52eecaa52fa586619b
https://doi.org/10.1088/0960-1317/2/3/001
https://doi.org/10.1088/0960-1317/2/3/001
Publikováno v:
Journal of Micromechanics and Microengineering. 1:145-151
The principles of the wafer fusion bonding technique at room temperature and with thermal treatment are described. Experiments using plain and patterned silicon wafers coated with different surface materials are presented. Results obtained for differ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f70dd37b0d5f4120a46568dfdeda7f98
https://doi.org/10.1088/0960-1317/1/3/003
https://doi.org/10.1088/0960-1317/1/3/003
Publikováno v:
1995 IEEE International SOI Conference Proceedings.
Intelligent power ICs are increasingly desired for applications in automotive electronics, motor control devices or flat panel displays. In order to meet the requirements regarding reliability, low area consumption and flexibility the dielectric isol
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8803c74c1decbf38b09277a26993f77a
https://doi.org/10.1109/soi.1995.526505
https://doi.org/10.1109/soi.1995.526505
Publikováno v:
ChemInform. 21
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a25941efcedb6364460504826ab83958
https://doi.org/10.1002/chin.199009354
https://doi.org/10.1002/chin.199009354
Publikováno v:
Micro System Technologies 90 ISBN: 9783642456800
Thermal bonding of oxidized wafers is used to produce dielectrically insulated silicon for device fabrication. The two step bonding process is described and experiments with different wafer surfaces including prestructured and nitride coated wafers a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::26097a525a7a53ce0671ddd913758d32
https://doi.org/10.1007/978-3-642-45678-7_77
https://doi.org/10.1007/978-3-642-45678-7_77
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.