Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"E. Osei-Yiadom"'
Autor:
T. S. Smith, Maria Baikousi, Konstantinos Dimos, O. Okobiah, Antonios Kouloumpis, M. Bischof, E. Osei-Yiadom, K. M. Lynch, Richard F. Reidy, C. M. Cooper
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 128:79-84
Post-ash and post-etch cleaning of low-k structures require significant wetting of their surfaces. This work focuses on the interactions between dilute HF cleaning chemistries (dHF-1:50 to 1:1000) on porous low-k surfaces (k=2.3) as a function of tim
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6a7cdcddfd61daa0bfb5a43e4ddd88e3
https://doi.org/10.1016/j.mee.2014.05.006
https://doi.org/10.1016/j.mee.2014.05.006
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 86:176-180
Plasma etch and ash processes can alter surface and bulk properties in porous low-k films leading to poor device performance and reliability. Plasma-induced changes in film surface chemistries and topographies can result in increased water absorption
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::37d81590cdcb5cc80b810df9de175f90
https://doi.org/10.1016/j.mee.2008.10.018
https://doi.org/10.1016/j.mee.2008.10.018
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.