Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"E. Ophir-Arad"'
Autor:
R. Kalish, C. Uzan-Saguy, J. Sangrador, J.A. López-Rubio, T. Rodriguez, C. Gonzalez, E. Ophir-Arad
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 151:254-260
The combined electrical and structural characterization of encapsulated HgCdTe annealed in a rapid thermal processor under different temperatures and times is presented. Hall effect measurements are used for the determination of the changes in carrie
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a87a139a14f916eea2ca7576446b0b71
https://doi.org/10.1016/0022-0248(95)00089-5
https://doi.org/10.1016/0022-0248(95)00089-5
Publikováno v:
2012 IEEE 27th Convention of Electrical and Electronics Engineers in Israel.
We address various schemes of isolation and interconnection between high-side and low-side regions of a high-voltage gate driver integrated circuit. The main challenges are discussed. Different realizations using TS100PMHS (650V BCD technology) are p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b27a60d0ec217c55e2bd41f8a786ebad
https://doi.org/10.1109/eeei.2012.6376981
https://doi.org/10.1109/eeei.2012.6376981
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 57:2098-2100
Very high sensitivity to low dose implantation damage has been achieved by a novel quantitative analysis of electron channeling patterns (ECPs). An algorithm, based on the statistical analysis of the two‐dimensional ECP pictures obtained from a sca
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::23ad72473e96a273b8d3d30fc76ce9fa
https://doi.org/10.1063/1.103953
https://doi.org/10.1063/1.103953
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.