Zobrazeno 1 - 10
of 2 151
pro vyhledávání: '"E. Morvan"'
Publikováno v:
Journal of High Energy Physics, Vol 2024, Iss 8, Pp 1-29 (2024)
Abstract We compute and clarify the interpretation of the on-shell Euclidean action for Reissner-Nordström black holes in de Sitter space. We show the on-shell action is minus the sum of the black hole and cosmological horizon entropy for arbitrary
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8cabba4c2e7746fcbb46531bf3cfd220
Publikováno v:
Journal of High Energy Physics, Vol 2021, Iss 10, Pp 1-27 (2021)
Abstract We discuss some implications of recent progress in understanding the black hole information paradox for complementarity in de Sitter space. Extending recent work by two of the authors, we describe a bulk procedure that allows information exp
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/11a47352c5024f2a9eb8d10f3b9a6468
Autor:
N. Valyraki, E. Maillart, V. Pourcher, N. Shor, S. Tran, M. Boudot de la Motte, C. Houillier, F. Domont, E. Morvan, M. Touat, M. Del Mar Amador, J. Aboab, B. Mathon, A. Hesters, C. Vignal-Clermont, C. Dehais, S. Bonnin, F. Lafitte, N. Villain, S. Varnous, O. Gout, M. Eloit, C. Rodriguez, R. Deschamps
Publikováno v:
Revue Neurologique. 179:361-367
The role of Human pegivirus (HPgV) in patients with encephalitis has been recently questioned. We present cases of 4 patients with similar clinical, biological, and radiological characteristics, including a past history of transplantation with long-t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c8eb771268a289c8e4f467fe43085c36
https://doi.org/10.1016/j.neurol.2022.06.011
https://doi.org/10.1016/j.neurol.2022.06.011
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Donghyun Kim, C. Theodorou, A. Chanuel, Y. Gobil, M. Charles, E. Morvan, Jae Woo Lee, M. Mouis, G. Ghibaudo
Publikováno v:
Solid-State Electronics
Solid-State Electronics, 2022, 197, pp.108448. ⟨10.1016/j.sse.2022.108448⟩
Solid-State Electronics, 2022, 197, pp.108448. ⟨10.1016/j.sse.2022.108448⟩
International audience; A detailed electrical characterization and transistor parameter extraction on 200mm CMOS compatible GaN/Si HEMTs was performed down to deep cryogenic temperatures. The main transistor parameters (threshold voltage Vth, low-fie
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::768c58d787ced59bfdd936ac0949ab59
https://hal.science/hal-03769945/document
https://hal.science/hal-03769945/document
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.