Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"E. Leobondung"'
Autor:
Vamsi Paruchuri, Zhibin Ren, Wilfried Haensch, Bruce B. Doris, Hemanth Jagannathan, Huiming Bu, Balasubramanian S. Haran, A. Byrant, Su Chen Fan, Kangguo Cheng, Sanjay Mehta, Yu Zhu, Shom Ponoth, H. He, Vijay Narayanan, Alexander Reznicek, J. Kuss, Ghavam G. Shahidi, Ali Khakifirooz, Soon-Cheon Seo, Z. Zhu, Paul C. Jamison, A. Upham, D. McHerron, Pranita Kulkarni, A. Kimball, L. H. Vanamurth, S. Kanakasabapathy, J. Faltermeier, Basanth Jagannathan, Amit Kumar, Amlan Majumdar, Thomas N. Adam, Mukesh Khare, Terence B. Hook, S. Holmes, D. Horak, R. Johnson, D. Yang, D. K. Sadana, J. Cai, J. O'Neil, E. Leobondung, Lisa F. Edge, S. Schmiz, P. Kozlowsk, J. L. Herman
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Autor:
H. He, Paul C. Jamison, Bala S. Haran, Sanjay Mehta, Kangguo Cheng, D. Horak, Bruce B. Doris, Yu Zhu, D. K. Sadana, Basanth Jagannathan, J. L. Herman, Huiming Bu, Soon-Cheon Seo, S. Kanakasabapathy, Alexander Reznicek, L. H. Vanamurth, Amlan Majumdar, J. Cai, Thomas N. Adam, James A. O’Neill, P. Kozlowski, E. Leobondung, Pranita Kulkarni, Shom Ponoth, Nicolas Loubet, A. Upham, D. McHerron, S. Holmes, Z. Zhu, A. Kimball, Lisa F. Edge, Su Chen Fan, Stefan Schmitz, J. Kuss, Ghavam G. Shahidi, Ali Khakifirooz, R. Johnson, Daewon Yang, W. Haensch, J. Faltermeier
Publikováno v:
Proceedings of 2010 International Symposium on VLSI Technology, System and Application.
Extremely thin SOI (ETSOI) MOSFET is a viable option for future CMOS scaling owing to superior short-channel control and immunity to random dopant fluctuation. However, challenges of ETSOI integration have so far hindered its adoption for mainstream
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.