Zobrazeno 1 - 10
of 46
pro vyhledávání: '"E. Kiewra"'
Autor:
D. M. Gill, Jessie Rosenberg, Tymon Barwicz, Clint L. Schow, Jonathan E. Proesel, W. M. J. Green, Alexander V. Rylyakov, Yurii A. Vlasov, Solomon Assefa, S. M. Shank, E. Kiewra, Carol Reinholm, Swetha Kamlapurkar, Marwan H. Khater, Chi Xiong
Publikováno v:
Optics express. 23(13)
A novel high-speed Mach-Zehnder modulator (MZM) fully integrated into a 90 nm CMOS process is presented. The MZM features 'double-pass' optical phase shifter segments, and the first use of integrated inductors in a 'velocity-matched' distributed-elec
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::46f583517c892f6c3a83ab1c0bf67722
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/26191697
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/26191697
Autor:
Solomon Assefa, Swetha Kamlapurkar, Tymon Barwicz, John J. Ellis-Monaghan, Chi Xiong, Will Green, Marwan H. Khater, Andreas D. Stricker, Yurii A. Vlasov, Jessie Rosenberg, Wilfried Haensch, Carol Reinholm, E. Kiewra, Douglas M. Gill, S. M. Shank
Publikováno v:
Frontiers in Optics 2014.
We present a linear push-pull driven silicon modulator fabricated in IBM’s CMOS9WG technology node. The Si modulator shows third order nonlinearity suppression 3 dB superior in comparison with a commercial lithium niobate modulator.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::18785bc8c74c4038e8c5facb80bf06c3
https://doi.org/10.1364/fio.2014.fm3a.4
https://doi.org/10.1364/fio.2014.fm3a.4
Autor:
Marwan H. Khater, Andreas D. Stricker, Jonathan E. Proesel, S. M. Shank, Solomon Assefa, Jason S. Orcutt, John J. Ellis-Monaghan, Frederick G. Anderson, Wilfried Haensch, Yurii A. Vlasov, Mounir Meghelli, Will Green, E. Kiewra
Publikováno v:
Frontiers in Optics 2014.
Methods for integrating germanium detectors within CMOS processes to form high performance integrated monolithic receivers will be reviewed. Focus will be on achieving fiber-coupled input sensitivity that meets or exceeds traditional ROSA approaches.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b04b81edebc39fede25fbd28e1ac8bf2
https://doi.org/10.1364/fio.2014.fm3a.3
https://doi.org/10.1364/fio.2014.fm3a.3
Autor:
W. M. J. Green, Marwan H. Khater, Jonathan E. Proesel, S. M. Shank, Solomon Assefa, Swetha Kamlapurkar, Yurii A. Vlasov, Jessie Rosenberg, D. M. Gill, Tymon Barwicz, E. Kiewra, Carol Reinholm
Publikováno v:
2013 IEEE Photonics Conference.
A silicon microring modulator with independent resonance and coupling tunability is monolithically integrated with a stacked CMOS driver. At 25Gbps, the OMA is -1.9dBm, the extinction ratio is 3.5dB, and the excess loss is 2.6dB.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::587f96d61dbe16748f55a71a89208f3a
https://doi.org/10.1109/ipcon.2013.6656515
https://doi.org/10.1109/ipcon.2013.6656515
Autor:
Teya Topuria, Yurii A. Vlasov, Carol Reinholm, Philip M. Rice, Solomon Assefa, W. M. J. Green, Marwan H. Khater, Clint L. Schow, Swetha Kamlapurkar, E. Kiewra, Christian W. Baks, Huapu Pan, Steven M. Shank, Alexander V. Rylyakov
Publikováno v:
OFC/NFOEC
A monolithically-integrated germanium receiver is fabricated in the IBM's newly established 90nm CMOS-integrated nanophotonics technology node. Technology is promising for cost-effective 10Gbps to 28Gbps optical communications links operating within
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7a0d36185e33ae90fee05d05e8c298e9
https://doi.org/10.1364/ofc.2013.om2h.4
https://doi.org/10.1364/ofc.2013.om2h.4
Autor:
T. Rupp, N. Chaudhary, K. Dev, Y. Fukuzaki, J. Gambino, H. Ho, J. Iba, E. Ito, E. Kiewra, B. Kim, M. Maldei, T. Matsunaga, J. Ning, R. Rengarajan, A. Sudo, Y. Takagawa, D. Tobben, M. Weybright, G.K. Worth, R. Divakaruni, R. Srinivasan, J. Alsmeier, G. Bronner
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318).
This report describes improvements in the trench DRAM technology for 0.15 /spl mu/m groundrule and beyond. The optimum cell layout is 8F/sup 2/ with a cell area of only 0.18 /spl mu/m/sup 2/ for a 0.15 /spl mu/m groundrule. High node capacitance and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ed00c229eb73a4da1dfeb395b2a184e6
https://doi.org/10.1109/iedm.1999.823840
https://doi.org/10.1109/iedm.1999.823840
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.