Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"E. Jelencovic"'
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 52:606-611
Low-frequency noise in MOCVD-grown AlGaN/GaN/AlGaN/GaN double channel high electron mobility transistors (HEMTs) on sapphire substrate was investigated over a wide range of temperatures from 80 K to 300 K. Generation–recombination (g–r) noise was
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0ad51f1ac17604e5b7694599106cad5c
https://doi.org/10.1016/j.sse.2007.10.002
https://doi.org/10.1016/j.sse.2007.10.002
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.