Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"E. Jelencovic"'
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 52:606-611
Low-frequency noise in MOCVD-grown AlGaN/GaN/AlGaN/GaN double channel high electron mobility transistors (HEMTs) on sapphire substrate was investigated over a wide range of temperatures from 80 K to 300 K. Generation–recombination (g–r) noise was
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0ad51f1ac17604e5b7694599106cad5c
https://doi.org/10.1016/j.sse.2007.10.002
https://doi.org/10.1016/j.sse.2007.10.002
Publikováno v:
AIP Advances; Mar2024, Vol. 14 Issue 3, p1-7, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 8/28/2023, Vol. 123 Issue 9, p1-5, 5p
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials; Jun2021, Vol. 50 Issue 6, p3748-3753, 6p
Autor:
Mouetsi, Souheil, El Hdiy, Abdelillah
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Sep2013, Vol. 114 Issue 10, p104507, 3p, 5 Graphs
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Nanotechnology & Microelectronics; Sep2017, Vol. 35 Issue 5, p1-7, 7p
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 8/8/2016, Vol. 109 Issue 6, p063504-1-063504-5, 5p, 1 Diagram, 3 Graphs