Zobrazeno 1 - 10
of 219
pro vyhledávání: '"E. Gout"'
Autor:
T. Journot, D. Brellier, P. Ballet, T. N. Tran Thi Caliste, E. Gout, D. Collonge, J. Baruchel
Publikováno v:
Journal of Applied Crystallography
Journal of Applied Crystallography, 2023, 56, pp.401-408. ⟨10.1107/s1600576723000377⟩
Journal of Applied Crystallography, 2023, 56, pp.401-408. ⟨10.1107/s1600576723000377⟩
International audience; In this work, synchrotron radiation rocking curve imaging (RCI) is used to visualize and characterize dislocations and second-phase defects in a highly perfect and absorbing CdTe(Zn) crystal. This technique requires recording
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
José Baruchel, A. Pagot, D. Brellier, P. Ballet, E. Gout, C. Yildirim, T. N. Tran Thi Caliste
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 49:4550-4556
A high-quality CdZnTe single crystal has been imaged with micrometer resolution using monochromatic x-ray Bragg diffraction at the bending magnet (BM)-05 beamline of the European Synchrotron Radiation Facility. Since this material is used to produce
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Armelle Kapferer, S. Giraud, C. Roman-Tinnes, S. Chabanet, Alexandre Brunner, V. Destefanis, P. Fougères, Yann Reibel, M. C. Manzato, E. Gout, D. Brellier, Laurent Rubaldo, Y. Loreau, Augustin Cathignol
Publikováno v:
Infrared Technology and Applications XLIV.
High-performance infrared detectors based on HgCdTe technology require high quality epilayers, for which bulk CdZnTe is considered as the ideal substrate, thanks to its ability to perfectly match its lattice constant. Reaching very high crystal quali
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 43:2901-2907
We report the bulk growth of single-crystal CdZnTe and characterization of material associated with large-area wafers produced from the CdZnTe ingots. Our experimental vertical gradient freeze set-up enables accurate detection of the beginning and en