Zobrazeno 1 - 10
of 175
pro vyhledávání: '"E. Gheeraert"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 121:072101
Metal oxide semiconductor (MOS) capacitors were fabricated based on oxygen-terminated p-type (100) oriented diamond and SiO2 grown by atomic layer deposition. A detailed electrical characterization consisting of I–V, C–V, and C–F was performed
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Autor:
K. Driche, A. Maréchal, H. Umezawa, J. Letellier, D. Eon, N. Rouger, E. Gheeraert, H. Okumura
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.