Zobrazeno 1 - 10
of 222
pro vyhledávání: '"E. Gaubas"'
Autor:
E. Gaubas, T. Čeponis, A. Jasiunas, E. Jelmakas, S. Juršėnas, A. Kadys, T. Malinauskas, A. Tekorius, P. Vitta
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 3, Iss 11, Pp 112128-112128-12 (2013)
The MOCVD grown GaN epi-layers of different thickness have been examined in order to clarify a role of surface recombination, to separate an impact of radiative and non-radiative recombination and disorder factors. The microwave probed –photoconduc
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3339a311e4294008abbe527253f9a3ca
Autor:
E. Gaubas, V. Borschak, I. Brytavskyi, T. Čeponis, D. Dobrovolskas, S. Juršėnas, J. Kusakovskij, V. Smyntyna, G. Tamulaitis, A. Tekorius
Publikováno v:
Advances in Condensed Matter Physics, Vol 2013 (2013)
Properties of polycrystalline CdS layers, employed in formation of the CdS-Cu2S heterostructures, have been studied by combining contactless techniques of the time and spectrally resolved photoluminescence (TR-PL) spectroscopy and microwave-probed ph
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3a1cccfdb9bf4855bae442c733be48d6
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 1, Iss 2, Pp 022143-022143-13 (2011)
Techniques for the remote and in situ control of carrier recombination and drift parameters during proton irradiation are presented. The measurement and evaluation of the carrier recombination and drift-diffusion characteristics are based on simultan
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a503b5c2b57c401a872b5a6544de572d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
E. Gaubas
Publikováno v:
Lithuanian Journal of Physics. 47:457-460
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5522527011a7ccaf69a89af91036a6e0
https://doi.org/10.3952/lithjphys.47409
https://doi.org/10.3952/lithjphys.47409
Autor:
E. Gaubas
Publikováno v:
Lithuanian Journal of Physics. 47:461-464
Carrier surface recombination characteristics are investigated in silicon high voltage diodes with glass isolated grooves by microwave probed photoconductivity transients (MW-PCT) combining different excitation depths within the layered device struct
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::625b3b2e0545c1e9a05c25fa732b1644
https://doi.org/10.3952/lithjphys.47410
https://doi.org/10.3952/lithjphys.47410
Publikováno v:
Lithuanian Journal of Physics. 46:47-51
Excess carrier lifetime variations in proton and ∞-ray irradiated MCz Si have been examined. The linear decrease of recombination lifetime with dose in ∞-ray irradiated material shows a dose-independent defect introduction rate, while protons of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::35f5a9dd3b42c868d6f9039c690d16b4
https://doi.org/10.3952/lithjphys.46104
https://doi.org/10.3952/lithjphys.46104