Zobrazeno 1 - 10
of 40
pro vyhledávání: '"E. Galligan"'
Autor:
G. Hu, C. Safranski, J. Z. Sun, P. Hashemi, S. L. Brown, J. Bruley, L. Buzi, C. P. D'Emic, E. Galligan, M. G. Gottwald, O. Gunawan, J. Lee, S. Karimeddiny, P. L. Trouilloud, D. C. Worledge
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Autor:
C. Safranski, G. Hu, J. Z. Sun, P. Hashemi, S. L. Brown, L. Buzi, C. P. D'Emic, E. R. J. Edwards, E. Galligan, M. G. Gottwald, O. Gunawan, S. Karimeddiny, H. Jung, J. Kim, K. Latzko, P. L. Trouilloud, S. Zare, D. C. Worledge
Publikováno v:
2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits).
Autor:
G. Hu, G. Lauer, J. Z. Sun, P. Hashemi, C. Safranski, S. L. Brown, L. Buzi, E. R. J. Edwards, C. P. D'Emic, E. Galligan, M. G. Gottwald, O. Gunawan, H. Jung, J. Kim, K. Latzko, J. J. Nowak, P. L. Trouilloud, S. Zare, D. C. Worledge
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
E. Galligan, O. Al-Assar, I. A. McIntyre, S. R. McKeown, M. A. Hollywood, K. D. Thornbury, N. G. McHale, A. K. Keenan, P. Gierschik, A. A. Nelson, P. G. McKenna, Y. A. Barnett, A. K. Curran, K. D. O’Halloran, A. Bradford, K. D. O’Haloran, A. Kent, J. P. Redrobe, J. P. Kelly, B. E. Leonard, P. L. Chambers, P. M. Ryan, A. M. Redmond, M. G. McNamara, A. J. McShane, E. Tobin, T. Smith, G. B. Fox, N. Kennedy, C. M. Regan, F. J. O’Farrell, B. M. Hannigan, I. K. Walsh, S. R. Johnston, V. J. McKelvey-Martin, J. J. A. McAleer, R. G. O’Regan, A. M. Mullen, B. Earley, J. O’Neill, J. J. O’Connor, P. Moynagh, L. A. J. O’Neill, J. A. Kelly, I. Browne, K. Gavin, J. R. Docherty, K. Smith, T. Cawley, J. Geraghty, H. Osborne, P. L. Hyland, M. W. McKinney, M. V. Hejmadi, L. H. Patterson, M. Sweeney, P. McLoughlin, M. D. O’Donnell, K. F. McGeeney, D. C. Cottell
Publikováno v:
Irish Journal of Medical Science. 164:311-319
Autor:
David W. Abraham, E. Gow, Stuart S. P. Parkin, E. Galligan, K. R. Milkove, G. Wright, Mahesh G. Samant, J. DeBrosse, See-Hun Yang, Daniel C. Worledge, T. Maffit, Stephen L. Brown, William J. Gallagher, S. Kanakasabapathy, Michael C. Gaidis, Christian Kaiser, Janusz J. Nowak, Yu Lu, Brian M. Hughes, Eugene J. O'Sullivan, Mark C. H. Lamorey, Solomon Assefa, R. P. Robertazzi, J. Hummel, P. L. Trouilloud, P. M. Rice
Publikováno v:
ResearcherID
MRAM technology offers an attractive combination of performance, density, low power, non-volatility, and write endurance. While first stand-alone MRAM products appear poised for introduction, major technology advances are also being reported. In this
Autor:
Yu Lu, E. Galligan, R. P. Robertazzi, G. Wright, P. L. Trouilloud, D. W. Abraham, Daniel C. Worledge, William J. Gallagher, Solomon Assefa, S. Kanakasabapathy, Eugene J. O'Sullivan, Janusz J. Nowak, S. L. Brown, Michael C. Gaidis
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 100:074506
Toggle magnetic random access memory (MRAM) has been proposed to solve the problems of small switching margins and half-select activated errors found in Stoner-Wohlfarth MRAM. However, it is widely acknowledged that the switching fields required for
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Joseph E. Galligan, Theodore Cooper
Publikováno v:
International Journal of Cardiology. 1:449-453
Autor:
Glen E. Galligan
Publikováno v:
The Journal of Health and Physical Education. 16:242-283