Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"E. Eugenio-López"'
Autor:
A. Del Río-De Santiago, I.E. Cortes-Mestizo, A.Yu. Gorbatchev, Máximo López-López, L.I. Espinosa-Vega, C.A. Mercado-Ornelas, Víctor Hugo Méndez-García, E. Eugenio-López
Publikováno v:
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 95:22-26
Different mechanisms of adatoms nucleation are studied for the self-assembling of InAs quantum dots (QDs) on smooth and nanoscale faceted GaAs surface morphologies. The experiments were performed on GaAs(100) and GaAs(631), and prior to the arrival o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::55ffb03eafb7816611b3636aaabd01a3
https://doi.org/10.1016/j.physe.2017.08.013
https://doi.org/10.1016/j.physe.2017.08.013
Autor:
José Manuel Gutiérrez-Hernández, Satoshi Shimomura, L.I. Espinosa-Vega, Víctor Hugo Méndez-García, A.Yu. Gorbatchev, E. Eugenio-López
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 477:212-216
Quantum dashes were synthesized in the molecular beam epitaxial growth of InAs on GaAs(2 2 1). By changing the arsenic pressure it was possible to obtain highly ordered one-dimensional InAs arrays as demonstrated by autocorrelation function analysis.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3c057812b253976f444702afdf16aeb7
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.04.004
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.04.004
Autor:
C.A. Mercado-Ornelas, Luis Zamora-Peredo, V.H. Méndez-García, I. Lara-Velázquez, L.I. Espinosa-Vega, D. García-Compean, E. Eugenio-López, C. M. Yee-Rendón, I.E. Cortes-Mestizo, A.Yu. Gorbatchev
Publikováno v:
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 124:114217
In this study, the quantum dots (QDs) self-assembly properties were affected by strain modulation. The strain of the GaAs (100) surface was modulated prior to the growth of InAs with the aim to tailor the size and distribution of self-assembled QDs.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c1245389e5dd77dd76da11d3d12699f9
https://doi.org/10.1016/j.physe.2020.114217
https://doi.org/10.1016/j.physe.2020.114217
Autor:
Pallavi Patil, Christian Alejandro Mercado-Ornelas, E. Eugenio-López, I.E. Cortes-Mestizo, Andrei Yu Gorbatchev, L.I. Espinosa-Vega, Satoshi Shimomura, José Ángel Espinoza-Figueroa, Víctor Hugo Méndez-García
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics. 57:025201
The high order self-organization of quantum dots is demonstrated in the growth of InAs on a GaAs(631)-oriented crystallographic plane. The unidimensional ordering of the quantum dots (QDs) strongly depends on the As flux beam equivalent pressure (P A
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d97a21bec7313f0f7c4efb457e00cb28
https://doi.org/10.7567/jjap.57.025201
https://doi.org/10.7567/jjap.57.025201
Autor:
Alejandro Cisneros-de-la-Rosa, Luis Zamora-Peredo, C. M. Yee-Rendón, José Ángel Espinoza-Figueroa, L.I. Espinosa-Vega, Joel Briones, E. Eugenio-López, I.E. Cortes-Mestizo, Edgar Briones, Ravindranath Droopad, Víctor Hugo Méndez-García
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena. 34:02L110
In this work, the influence of the surface depletion layer on the formation of a two-dimensional electron gas in AlGaAs/GaAs modulated doped heterostructures is studied. The authors explore a method for estimating the depletion region inside of the G
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9bf498baa734d91e3b8d7637fb938243
https://doi.org/10.1116/1.4942898
https://doi.org/10.1116/1.4942898
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.