Zobrazeno 1 - 10
of 38
pro vyhledávání: '"E. Eshun"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lynn Rochester, E. Eshun, Mark R. Baker, David J. Burn, B.S.W. Ho, Alison J. Yarnall, R. David
Publikováno v:
Clinical Neurophysiology. 127:2410-2413
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::953528f8be8833207ceea0855986bb9f
https://doi.org/10.1016/j.clinph.2016.03.014
https://doi.org/10.1016/j.clinph.2016.03.014
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Robert A. Groves, David C. Ahlgren, David L. Harame, Gregory G. Freeman, P. Cooper, Dawn Wang, S.A.S.T Onge, Basanth Jagannathan, Ebenezer E. Eshun, Alvin J. Joseph, Jae-Sung Rieh, S. Subbanna, Douglas D. Coolbaugh, Kenneth J. Stein, V.S. Marangos, Jeffrey B. Johnson, J. Dunn, Vidhya Ramachandran, Richard P. Volant, X. Wang
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 38:1471-1478
In this paper, we highlight the effectiveness and flexibility of SiGe BiCMOS as a technology platform over a wide range of performance and applications. The bandgap-engineered SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs) continue to be the workhors
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f93628d57e0bc7b6778e505c1542d860
https://doi.org/10.1109/jssc.2003.815930
https://doi.org/10.1109/jssc.2003.815930
Autor:
R. Bolam, Ebenezer E. Eshun, Douglas M. Daley, Natalie B. Feilchenfeld, J. Dunn, Robert M. Rassel, D. Mosher, Douglas D. Coolbaugh, D. Vanslette, K. Newton, Fen Chen, Edward C. Cooney, John J. Benoit, Z.X. He, S. St Onge
Publikováno v:
2008 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
Two MIM capacitors with capacitance density of 11 and 0.48 fF/um2 were fabricated simultaneously using IBM-s 0.13 um SiGe 8 WL BiCMOS process. Results from DC parametric measurement indicate that these two capacitors compliment each other extremely w
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f62460f718201414e07f36354428cdcd
https://doi.org/10.1109/bipol.2008.4662746
https://doi.org/10.1109/bipol.2008.4662746
Autor:
M. Gordon, S. St Onge, Edward J. Gordon, Hanyi Ding, Alvin J. Joseph, Matthew D. Moon, Mete Erturk, J. Dunn, A.K. Stamper, Z.X. He, Ebenezer E. Eshun, Douglas M. Daley, Douglas D. Coolbaugh
Publikováno v:
2007 Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems.
High quality factor inductors and highly matched low capacitance density horizontal parallel plate metal-insulator-metal capacitors were fabricated in 130nm RF-CMOS technology with minimal or zero processing step addition. The high quality factor ind
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::25df62b04df9c968041218ff5fb1bd4b
https://doi.org/10.1109/smic.2007.322791
https://doi.org/10.1109/smic.2007.322791
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J. Dunn, Kunal Vaed, R. Bolam, Ebenezer E. Eshun, Douglas D. Coolbaugh, Kenneth J. Stein, David C. Ahlgren
Publikováno v:
Digest of Papers. 2004 Topical Meeting onSilicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, 2004..
We demonstrate the simultaneous optimization of 100,000 POH reliability and voltage linearity (
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::868e7849783568ba3bfe4ac66f5c4c9d
https://doi.org/10.1109/smic.2004.1398166
https://doi.org/10.1109/smic.2004.1398166
Autor:
Michael L. Gautsch, J. Greco, S. Sweeney, K. Downes, James A. Slinkman, Kunal Vaed, David C. Sheridan, S. St Onge, Peter B. Gray, J. Dunn, R. Bolam, M. Gordon, Wade J. Hodge, B. Omer, J. He, T. Stamper, B. Labelle, J. Higgins, K. Stein, R.M. Murty, Natalie B. Feilchenfeld, Peter J. Lindgren, J. Rascoe, T. Larsen, Alvin J. Joseph, Ebenezer E. Eshun, K. Watson, Douglas D. Coolbaugh, Robert M. Rassel, Louis D. Lanzerotti
Publikováno v:
Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology, 2004. Proceedings of the 2004 Meeting.
We present IBM's next-generation, cost-performance-optimized BiCMOS technology (BiCMOS 8WL) which combines a state-of-the-art suite of SiGe NPNs, foundry compatible 0.13 μm CMOS, and a rich set of modular passive devices. Intended for a wide variety
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a522cfe4137ee07df24faf8cd728307e
https://doi.org/10.1109/bipol.2004.1365789
https://doi.org/10.1109/bipol.2004.1365789