Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"E. Engbrecht"'
Autor:
Praneet Adusumilli, B. Zhang, Chanro Park, B. Liu, Jin Cai, Balasubramanian S. Pranatharthi Haran, J. J. An, D. Ferrer, E. Engbrecht, Ahmet S. Ozcan, Hiroaki Niimi, R. Divakaruni, Y. Yan, R. Bolam, Huiming Bu, F. Chafik, Bruce B. Doris, S. Stiffler, Dechao Guo, B. Morgenfeld, Henry K. Utomo, Nicolas Loubet, N. Zhan, D. Hilscher, Jeffrey C. Shearer, W. Henson, C. Tran, C-H. Lin, James Chingwei Li, M. Oh, Hemanth Jagannathan, Jody A. Fronheiser, D. Kang, Ruilong Xie, T. Nesheiwat, Zuoguang Liu, Ravikumar Ramachandran, S. Allen, Walter Kleemeier, Oleg Gluschenkov, J. Rice, R. Lallement, Christian Lavoie, Jiseok Kim, Nicolas Breil, Siyuranga O. Koswatta, Emre Alptekin, C. Goldberg, Noah Zamdmer, Shogo Mochizuki, Veeraraghavan S. Basker, Gen Tsutsui, Keith Kwong Hon Wong, S. Fan, N. Makela, S. Jain, James J. Demarest, Christopher D. Sheraw, C.-C. Yeh, Mark Raymond, Anil Kumar, Yoo-Mi Lee, Vamsi Paruchuri, V. Sardesai, Vimal Kamineni, Woo-Hyeong Lee, Y. Ke, M. Yu, Andre Labonte, Tenko Yamashita, C. Niu, S. Narasimha
Publikováno v:
2016 IEEE Symposium on VLSI Technology.
We discuss the transition to Ti based silicides for source-drain (SD) contacts for 3D FinFET devices starting from the 14nm node & beyond. Reductions in n-FET & p-FET contact resistances are reported with the optimization of metallization process & d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3c5321b42b4d0c60756213eea4c7b007
https://doi.org/10.1109/vlsit.2016.7573382
https://doi.org/10.1109/vlsit.2016.7573382
Autor:
E. Engbrecht, Edward P. Maciejewski, Christopher D. Sheraw, R. Divakaruni, Zhengwen Li, Allen H. Gabor, L. Economikos, Fernando Guarin, N. Zhan, H-K Lee, MaryJane Brodsky, Kenneth J. Stein, Siyuranga O. Koswatta, Y. Yang, Byeong Y. Kim, J. Hong, A. Bryant, Herbert L. Ho, Ruqiang Bao, Nicolas Breil, Babar A. Khan, E. Woodard, W-H. Lee, C-H. Lin, A. Levesque, Kevin McStay, V. Basker, Viraj Y. Sardesai, C. Tran, A. Ogino, Reinaldo A. Vega, C. DeWan, Shreesh Narasimha, J-J. An, Amit Kumar, A. Aiyar, Ravikumar Ramachandran, W. Wang, X. Wang, W. Nicoll, D. Hoyos, A. Friedman, Barry Linder, Yongan Xu, E. Alptekin, Cathryn Christiansen, S. Polvino, Han Wang, Scott R. Stiffler, G. Northrop, S. Saudari, J. Rice, Saraf Iqbal Rashid, Sunfei Fang, Michael V. Aquilino, Z. Ren, B. Kannan, Geng Wang, Noah Zamdmer, T. Kwon, Paul D. Agnello, Hasan M. Nayfeh, S. Jain, Robert R. Robison, M. Hasanuzzaman, J. Cai, L. Lanzerotti, D. Wehelle-Gamage, Basanth Jagannathan, J. Johnson, E. Kaste, Kai Zhao, Huiling Shang, Carl J. Radens, Shariq Siddiqui, Y. Ke, D. Ferrer, Ximeng Guan, D. Conklin, K. Boyd, K. Henson, Siddarth A. Krishnan, Bernard A. Engel, H. Dong, S. Mahajan, Unoh Kwon, Dominic J. Schepis, William Y. Chang, Liyang Song, Brian J. Greene, Chengwen Pei, S.-J. Jeng, Clevenger Leigh Anne H, Vijay Narayanan, C. Zhu, Wai-kin Li, Henry K. Utomo, Wei Liu, Dureseti Chidambarrao
Publikováno v:
2014 IEEE International Electron Devices Meeting.
We present a fully integrated 14nm CMOS technology featuring finFET architecture on an SOI substrate for a diverse set of SoC applications including HP server microprocessors and LP ASICs. This SOI finFET architecture is integrated with a 4th generat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6233530b0b3fd6ddc14276a018716523
https://doi.org/10.1109/iedm.2014.7046977
https://doi.org/10.1109/iedm.2014.7046977
Autor:
Michael V. Aquilino, Jaeger Daniel, J. Koshy, E. Engbrecht, Edward P. Maciejewski, L. Zhuang, Mahender Kumar, G. Costrini, J. Gill, Paul D. Agnello, Rajeev Malik, Jin Cai, Gregory G. Freeman, S. Lucarini, N. Arnold, Geng Wang, David M. Fried, Matthew W. Stoker, R. Bolam, Dimitris P. Ioannou, Katsunori Onishi, Paul C. Parries, Richard Wise, Alvin G. Thomas, Min Dai, Viorel Ontalus, Jessica Dechene, Shreesh Narasimha, Robert R. Robison, Judson R. Holt, Dechao Guo, Paul Chang, Naftali E. Lustig, Michael P. Chudzik, Basanth Jagannathan, Paul S. McLaughlin, Bernard A. Engel, Xiaolin Li, Amit Kumar, W. Kong, Rishikesh Krishnan, Barry P. Linder, J. Norum, C. DeWan, Claude Ortolland, Karen A. Nummy, Michael A. Gribelyuk, Jae Gon Lee, Christopher D. Sheraw, G. Han, C-H. Lin, Benjamin Cipriany, Takashi Ando, N. Habib, J. Johnson
Publikováno v:
2012 International Electron Devices Meeting.
We present a fully-integrated SOI CMOS 22nm technology for a diverse array of high-performance applications including server microprocessors, memory controllers and ASICs. A pre-doped substrate enables scaling of this third generation of SOI deep-tre
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8c61f3f0814bd02ce1388effadad931e
https://doi.org/10.1109/iedm.2012.6478971
https://doi.org/10.1109/iedm.2012.6478971
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.