Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"E. Deeters"'
Autor:
John Damiano, H. Tian, M. Miscione, K. Cox, E. Deeters, C. Feng, M. Gibson, H. Nguyen, L. Zeng, M. Blackwell, C. Honcik, Y.-S. Feng, J. R. Zaman, J. Scott, J. Sebek, T. McNelly, James D. Hayden, C.K. Subramanian
Publikováno v:
1998 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers (Cat. No.98CH36216).
Summary form only given. Trench dislocations in a 0.25 /spl mu/m BiCMOS SRAM technology were traced to defects arising during S/D processing. It is argued that these defects coalesce to form dislocations, typically near the trench edge, under the com
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::068a1689ed47cf36ca8007e3db848f02
https://doi.org/10.1109/vlsit.1998.689261
https://doi.org/10.1109/vlsit.1998.689261
Burn-in Failure Analysis of 0.5μm 1MB SRAM: Barrier Glue Layer Cracks and Tungsten Plug 'Worm Holes'
Autor:
J. Fitch, S. Tatti, B. Dunnigan, C.M. Chan, E. Deeters, S. Crown, Phil Schani, Ed Widener, Jamey Moss, F.Y. Soon, N.H. Hamid
Publikováno v:
International Symposium for Testing and Failure Analysis.
A new 0.5 um 1 Megabit SRAM which employed a double metal, triple poly CMOS process with Tungsten plug metal to poly /silicon contacts was introduced. During burn-in of this product, high currents, apparently due to electrical overstress, were experi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a2badce823b9a78edc86935f79be2062
https://doi.org/10.31399/asm.cp.istfa1996p0159
https://doi.org/10.31399/asm.cp.istfa1996p0159
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.