Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"E. Danilkin"'
Autor:
T. Sedoykina, A. Orlov, Jeremy Pereira, Jérémy Alvarez-Hérault, C. Portemont, Clarisse Ducruet, E. Danilkin, E. Smirnov
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 167:6-9
MRAM technology offers the opportunity to provide all the advantages of the most popular types of memory, such as DRAM, SRAM and FLASH with none of its disadvantages. Magnetic tunnel junctions (MTJs) based on CoFeB/MgO/CoFeB structures are very promi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::05e0a10c1d71ebbfa5addcddce828548
https://doi.org/10.1016/j.mee.2016.09.010
https://doi.org/10.1016/j.mee.2016.09.010
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.