Zobrazeno 1 - 10
of 17
pro vyhledávání: '"E. Cagin"'
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 37:749-754
The optical properties of ZnO/Mg x Zn1−x O (x = 0.17) quantum wells (QWs) grown on c-plane sapphire substrates by pulsed laser deposition are presented. A blueshift in the low-temperature photoluminescence (PL) of the QWs illustrates quantum confin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::88bef13bf192676045780bf21b575b6e
https://doi.org/10.1007/s11664-007-0299-x
https://doi.org/10.1007/s11664-007-0299-x
Autor:
C. Fulk, J. J. Siddiqui, P.Y. Emelie, S. Sivananthan, E. Cagin, Jamie Phillips, James W. Garland
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 36:841-845
The electrical characteristics of organic (3,4-polyethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) contacts to HgCdTe are studied as a potential alternative to metal/HgCdTe contacts. The use of organic PEDOT:PSS contacts offers the potenti
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::87dc4eb1a545ee34ef48a645fceb9197
https://doi.org/10.1007/s11664-007-0106-8
https://doi.org/10.1007/s11664-007-0106-8
Publikováno v:
Journal of Physics D: Applied Physics. 40:2430-2434
Interfacing of ferroelectric and semiconductor materials provides a means of coupling unique properties associated with ferroelectric materials to high performance semiconductor devices. In this work we report the electronic properties of ferroelectr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::efb29104f929755e87a63744447610cd
https://doi.org/10.1088/0022-3727/40/8/003
https://doi.org/10.1088/0022-3727/40/8/003
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 92:233505
The growth of wurtzite ZnO on cubic MgO (001) substrates by molecular beam epitaxy is reported. ZnO epilayers exhibit the nonpolar m-plane orientation based on x-ray diffraction and transmission electron microscopy analysis. Comparative studies of Zn
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d07b266eec7ce07b0e6a0026d5bb5bef
https://doi.org/10.1063/1.2940305
https://doi.org/10.1063/1.2940305
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 88:212903
The electrical characteristics of ZnO thin-film transistors with high-k (Ba,Sr)TiO3 gate dielectrics are presented. The ZnO and (Ba,Sr)TiO3 thin films were deposited on Pt, exhibiting polycrystalline characteristics. The thin-film devices demonstrate
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cc92902f838be222ccbd51f615287654
https://doi.org/10.1063/1.2204574
https://doi.org/10.1063/1.2204574
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 23:1277
Plasma-assisted molecular beam epitaxy was used to grow thin films of ZnO on c-plane sapphire substrates. The crystalline properties of the layers as measured by x-ray diffraction were found to improve with lower growth temperatures, where the full w
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1c76b04b7fe94c36fee5960b9454f4fd
https://doi.org/10.1116/1.1868714
https://doi.org/10.1116/1.1868714
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.