Zobrazeno 1 - 10
of 1 395
pro vyhledávání: '"E. Bellet-Amalric"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Vincent Reboud, Mathieu Bertrand, E. Gomez, Jose M. Escalante, Samuel Tardif, E. Bellet Amalric, Daivid Fowler, Kevin Guilloy, Vincent Calvo, Esteban Marin, Jérôme Faist, Julie Widiez, Ivan Duchemin, Hans Sigg, Alban Gassenq, T. Zabel, Denis Rouchon, R. Geiger, Nicolas Pauc, J. M. Hartmann, Alexei Chelnokov, François Rieutord, Yann-Michel Niquet
Publikováno v:
Web of Science
2016 IEEE 13th International Conference on Group IV Photonics (GFP)
2016 IEEE 13th International Conference on Group IV Photonics (GFP), Aug 2016, Shanghai, China. pp.140-142, ⟨10.1109/GROUP4.2016.7739074⟩
2016 IEEE 13th International Conference on Group IV Photonics (GFP)
2016 IEEE 13th International Conference on Group IV Photonics (GFP), Aug 2016, Shanghai, China. pp.140-142, ⟨10.1109/GROUP4.2016.7739074⟩
International audience; Using the Smart CutTM technology, we fabricated 200 mm optical Germanium-On-Insulator (GeOI) substrates for photonic applications. The high crystalline quality of the Ge layer opens the way to wafer-scale fabrication of photon
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::40ade469f6395d56469c4d46b93f3d52
https://doi.org/10.1109/group4.2016.7739074
https://doi.org/10.1109/group4.2016.7739074
Autor:
Jérôme Faist, Alban Gassenq, Ivan Duchemin, E. Gomez, Vincent Calvo, Yann-Michel Niquet, T. Zabel, Kevin Guilloy, Alexei Chelnokov, Denis Rouchon, H. Sigg, R. Geiger, G. Osvaldo Dias, E. Marin, E. Bellet Amalric, Vincent Reboud, Julie Widiez, Daivid Fowler, François Rieutord, Nicolas Pauc, Samuel Tardif, Jose M. Escalante, J.M. Hartmann
Publikováno v:
SPIE OPTO
SPIE OPTO, Feb 2016, San Francisco, United States. pp.97520F, ⟨10.1117/12.2212597⟩
SPIE OPTO, Feb 2016, San Francisco, United States. pp.97520F, ⟨10.1117/12.2212597⟩
International audience; Currently, one of the main challenges in the field of silicon photonics is the fabrication of efficient laser sources compatible with the microelectronic fabrication technology. An alternative to the complexity of integration
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::684fab86e1d6ea922a0aea7472ad6402
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02016583
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02016583
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 310:3685-3689
This work reports on the crystallization of α - Si 3 N 4 , β - Si 3 N 4 , and silicon in plasma enhanced chemical vapour deposition silicon nitride films grown with SiH 4 and NH 3 at 400 ∘ C and annealed at 1150 ∘ C . Nanometric multilayer stru
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::85eacc45bf734f84feacb0b3c7f2236d
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.05.019
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.05.019
Autor:
J. Rothman, Thibaut Devillers, Serge Tatarenko, P. Bayle Guillemaud, A. Barski, V. Poydenot, E. Bellet Amalric, M. Jamet, Richard Mattana, Joel Cibert, R. Dujardin
Publikováno v:
physica status solidi (a). 204:130-135
In this paper we report on the structural and magnetic properties of GeMn layers grown on Ge(001). We show that for the optimized Mn concentration (6%) and for optimized growth temperature (close to 130 °C), GeMn samples exhibit a high Curie tempera
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::657fe7920627d625648575cda470d164
https://doi.org/10.1002/pssa.200673026
https://doi.org/10.1002/pssa.200673026